データシート
OPA657-DIE
- 高いゲイン帯域幅積: 1.6GHz
- 高い帯域幅: 275MHz (G = 10)
- スルー・レート: 700V/µs (G = 10、1V刻み)
- 低い入力オフセット電圧: ±250µV
- 低い入力バイアス電流: 2pA
- 低い入力電圧ノイズ: 4.8nV/√Hz
- 高い出力電流: 70mA
- 高速なオーバードライブ回復
アプリケーション
- 広帯域フォトダイオード・アンプ
- ウェハ・スキャン機器
- ADC入力アンプ
- テストおよび計測フロントエンド
- 高ゲインの高精度アンプ
- 光学時間領域反射率測定(OTDR)
OPA657デバイスは、ゲイン帯域幅が高く、歪みが低い電圧帰還型オペアンプで、電圧ノイズの低いJFET入力段により、非常にダイナミック・レンジが広いアンプであるため、高精度のA/Dコンバータ(ADC)の駆動や、広帯域トランスインピーダンス・アプリケーションに使用できます。フォトダイオード・アプリケーションでは、この補償なしでゲイン帯域幅の高いアンプにより、ノイズと帯域幅を改善できます。
帯域幅と精度が非常に優れているため、非常に低レベルの信号を、単一のOPA657ゲイン段で大幅に増幅できます。入力バイアス電流と容量が非常に低いため、ソースのインピーダンスが比較的高い場合もこのパフォーマンスを実現できます。広帯域の光検知アプリケーションは、OPA657の低電圧ノイズのJFET入力からメリットが得られます。JFET入力は電流ノイズが事実上ゼロであるため、このデバイスは高ゲインのフォトダイオード・アプリケーションに理想的です。
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点