ホーム アンプ オペアンプ (OP アンプ) 高速オペアンプ (50MHz 以上のゲイン帯域幅:GBW)

OPA657-DIE

アクティブ

ベアダイ、1.6GHz、低ノイズ、FET 入力オペアンプ

製品詳細

Architecture FET / CMOS Input, Voltage FB Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 8 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 12 GBW (typ) (MHz) 1600 BW at Acl (MHz) 350 Acl, min spec gain (V/V) 7 Slew rate (typ) (V/µs) 700 Vn at flatband (typ) (nV√Hz) 4.8 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 7 Iq per channel (typ) (mA) 14 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 1.8 Rail-to-rail No Features Decompensated Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 CMRR (typ) (dB) 89 Input bias current (max) (pA) 20 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Iout (typ) (mA) 70 2nd harmonic (dBc) 74 3rd harmonic (dBc) 106 Frequency of harmonic distortion measurement (MHz) 5
Architecture FET / CMOS Input, Voltage FB Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 8 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 12 GBW (typ) (MHz) 1600 BW at Acl (MHz) 350 Acl, min spec gain (V/V) 7 Slew rate (typ) (V/µs) 700 Vn at flatband (typ) (nV√Hz) 4.8 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 7 Iq per channel (typ) (mA) 14 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 1.8 Rail-to-rail No Features Decompensated Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 CMRR (typ) (dB) 89 Input bias current (max) (pA) 20 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Iout (typ) (mA) 70 2nd harmonic (dBc) 74 3rd harmonic (dBc) 106 Frequency of harmonic distortion measurement (MHz) 5
DIESALE (TD) See data sheet
  • 高いゲイン帯域幅積: 1.6GHz
  • 高い帯域幅: 275MHz (G = 10)
  • スルー・レート: 700V/µs (G = 10、1V刻み)
  • 低い入力オフセット電圧: ±250µV
  • 低い入力バイアス電流: 2pA
  • 低い入力電圧ノイズ: 4.8nV/√Hz
  • 高い出力電流: 70mA
  • 高速なオーバードライブ回復

アプリケーション

  • 広帯域フォトダイオード・アンプ
  • ウェハ・スキャン機器
  • ADC入力アンプ
  • テストおよび計測フロントエンド
  • 高ゲインの高精度アンプ
  • 光学時間領域反射率測定(OTDR)

  • 高いゲイン帯域幅積: 1.6GHz
  • 高い帯域幅: 275MHz (G = 10)
  • スルー・レート: 700V/µs (G = 10、1V刻み)
  • 低い入力オフセット電圧: ±250µV
  • 低い入力バイアス電流: 2pA
  • 低い入力電圧ノイズ: 4.8nV/√Hz
  • 高い出力電流: 70mA
  • 高速なオーバードライブ回復

アプリケーション

  • 広帯域フォトダイオード・アンプ
  • ウェハ・スキャン機器
  • ADC入力アンプ
  • テストおよび計測フロントエンド
  • 高ゲインの高精度アンプ
  • 光学時間領域反射率測定(OTDR)

OPA657デバイスは、ゲイン帯域幅が高く、歪みが低い電圧帰還型オペアンプで、電圧ノイズの低いJFET入力段により、非常にダイナミック・レンジが広いアンプであるため、高精度のA/Dコンバータ(ADC)の駆動や、広帯域トランスインピーダンス・アプリケーションに使用できます。フォトダイオード・アプリケーションでは、この補償なしでゲイン帯域幅の高いアンプにより、ノイズと帯域幅を改善できます。

帯域幅と精度が非常に優れているため、非常に低レベルの信号を、単一のOPA657ゲイン段で大幅に増幅できます。入力バイアス電流と容量が非常に低いため、ソースのインピーダンスが比較的高い場合もこのパフォーマンスを実現できます。広帯域の光検知アプリケーションは、OPA657の低電圧ノイズのJFET入力からメリットが得られます。JFET入力は電流ノイズが事実上ゼロであるため、このデバイスは高ゲインのフォトダイオード・アプリケーションに理想的です。

OPA657デバイスは、ゲイン帯域幅が高く、歪みが低い電圧帰還型オペアンプで、電圧ノイズの低いJFET入力段により、非常にダイナミック・レンジが広いアンプであるため、高精度のA/Dコンバータ(ADC)の駆動や、広帯域トランスインピーダンス・アプリケーションに使用できます。フォトダイオード・アプリケーションでは、この補償なしでゲイン帯域幅の高いアンプにより、ノイズと帯域幅を改善できます。

帯域幅と精度が非常に優れているため、非常に低レベルの信号を、単一のOPA657ゲイン段で大幅に増幅できます。入力バイアス電流と容量が非常に低いため、ソースのインピーダンスが比較的高い場合もこのパフォーマンスを実現できます。広帯域の光検知アプリケーションは、OPA657の低電圧ノイズのJFET入力からメリットが得られます。JFET入力は電流ノイズが事実上ゼロであるため、このデバイスは高ゲインのフォトダイオード・アプリケーションに理想的です。

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技術資料

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* データシート OPA657-DIE 1.6GHz、低ノイズ、FET入力オペアンプ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2016年 12月 30日

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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