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SN74CB3Q3305

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3.3V、1:1 (SPST)、2 チャネル FET バス・スイッチ (アクティブ・ハイ)

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SN74CB3Q3305

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製品詳細

Configuration 1:1 SPST Number of channels 2 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog, I2C, UART Ron (typ) (Ω) 3 CON (typ) (pF) 8 Supply current (typ) (µA) 250 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
Configuration 1:1 SPST Number of channels 2 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog, I2C, UART Ron (typ) (Ω) 3 CON (typ) (pF) 8 Supply current (typ) (µA) 250 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
TSSOP (PW) 8 19.2 mm² 3 x 6.4 VSSOP (DCU) 8 6.2 mm² 2 x 3.1
  • 高帯域幅データ・パス (最大 500MHz)(1)
  • デバイスの電源オン時とオフ時の両方で 5V 許容の I/O
  • 動作範囲全体にわたって小さく平坦なオン抵抗 (ron) 特性 (ron = 3Ω、標準値)
  • データ I/O ポートの電源電圧を超える入力電圧をサポート
    • VCC = 3.3V で 0～5V のスイッチング
    • VCC = 2.5V で 0～3.3V のスイッチング
  • 伝播遅延がゼロに近い双方向データ・フロー
  • 低い入力および出力容量により負荷および信号歪みが最小化 (Cio(OFF) = 3.5pF、標準値)
  • 高いスイッチング周波数 (fOE = 20MHz、最大値)
  • データおよび制御入力にアンダーシュート・クランプ・ダイオードを搭載
  • 低消費電力 (ICC = 0.25mA、標準値)
  • 2.3V～3.6V の範囲の VCC で動作
  • データ I/O は 0～5V の信号レベルに対応 (0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 制御入力は、TTL または 5V/3.3V CMOS 出力で駆動可能
  • Ioff により部分的パワーダウン・モードでの動作をサポート
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能

(1)CB3Q ファミリの性能特性の詳細情報については、TI のアプリケーション・レポート『CBT-C、CB3T、CB3Q 信号スイッチ・ファミリ』 (SCDA008) を参照してください。
  • 高帯域幅データ・パス (最大 500MHz)(1)
  • デバイスの電源オン時とオフ時の両方で 5V 許容の I/O
  • 動作範囲全体にわたって小さく平坦なオン抵抗 (ron) 特性 (ron = 3Ω、標準値)
  • データ I/O ポートの電源電圧を超える入力電圧をサポート
    • VCC = 3.3V で 0～5V のスイッチング
    • VCC = 2.5V で 0～3.3V のスイッチング
  • 伝播遅延がゼロに近い双方向データ・フロー
  • 低い入力および出力容量により負荷および信号歪みが最小化 (Cio(OFF) = 3.5pF、標準値)
  • 高いスイッチング周波数 (fOE = 20MHz、最大値)
  • データおよび制御入力にアンダーシュート・クランプ・ダイオードを搭載
  • 低消費電力 (ICC = 0.25mA、標準値)
  • 2.3V～3.6V の範囲の VCC で動作
  • データ I/O は 0～5V の信号レベルに対応 (0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 制御入力は、TTL または 5V/3.3V CMOS 出力で駆動可能
  • Ioff により部分的パワーダウン・モードでの動作をサポート
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能

(1)CB3Q ファミリの性能特性の詳細情報については、TI のアプリケーション・レポート『CBT-C、CB3T、CB3Q 信号スイッチ・ファミリ』 (SCDA008) を参照してください。

SN74CB3Q3305 デバイスは高帯域の FET バス・スイッチで、チャージ・ポンプを使用してパス・トランジスタのゲート電圧を上昇させ、低い平坦なオン抵抗 (ron) を実現します。オン抵抗が低く平坦であるため、伝搬遅延を最小限に抑えることができ、データ入出力 (I/O) ポートでの電源電圧を超える入力電圧のスイッチングをサポートします。本デバイスはデータ I/O の静電容量が小さいため、データ・バスの容量性負荷と信号歪みも最小限に抑えることができます。高帯域幅アプリケーションに対応するために特別に設計された SN74CB3Q3305 デバイスは、ブロードバンド通信、ネットワーク、データ集約型コンピューティング・システムに理想的な、最適化されたインターフェイス・ソリューションを提供します。

このデバイスは、Ioff を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。電源切断時にデバイスに電流が逆流することによる損傷を Ioff 回路が防止します。デバイスは、電源オフ時は絶縁されています。

電源オンまたは電源オフ時に高インピーダンス状態を確保するため、OE をプルダウン抵抗経由で GND に接続する必要があります。この抵抗の最小値は、ドライバの電流ソース能力によって決まります。

SN74CB3Q3305 デバイスは高帯域の FET バス・スイッチで、チャージ・ポンプを使用してパス・トランジスタのゲート電圧を上昇させ、低い平坦なオン抵抗 (ron) を実現します。オン抵抗が低く平坦であるため、伝搬遅延を最小限に抑えることができ、データ入出力 (I/O) ポートでの電源電圧を超える入力電圧のスイッチングをサポートします。本デバイスはデータ I/O の静電容量が小さいため、データ・バスの容量性負荷と信号歪みも最小限に抑えることができます。高帯域幅アプリケーションに対応するために特別に設計された SN74CB3Q3305 デバイスは、ブロードバンド通信、ネットワーク、データ集約型コンピューティング・システムに理想的な、最適化されたインターフェイス・ソリューションを提供します。

このデバイスは、Ioff を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。電源切断時にデバイスに電流が逆流することによる損傷を Ioff 回路が防止します。デバイスは、電源オフ時は絶縁されています。

電源オンまたは電源オフ時に高インピーダンス状態を確保するため、OE をプルダウン抵抗経由で GND に接続する必要があります。この抵抗の最小値は、ドライバの電流ソース能力によって決まります。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート SN74CB3Q3305 デュアル FET バス・スイッチ、2.5V/3.3V、低電圧、高帯域バス・スイッチ データシート (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2021年 11月 7日
アプリケーション・ノート Selecting the Correct Texas Instruments Signal Switch (Rev. E) PDF | HTML 2022年 6月 2日
アプリケーション・ノート Multiplexers and Signal Switches Glossary (Rev. B) PDF | HTML 2021年 12月 1日
アプリケーション・ノート CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families (Rev. C) PDF | HTML 2021年 11月 19日
アプリケーション概要 Eliminate Power Sequencing with Powered-off Protection Signal Switches (Rev. C) PDF | HTML 2021年 1月 6日
セレクション・ガイド Logic Guide (Rev. AB) 2017年 6月 12日
アプリケーション・ノート Understanding and Interpreting Standard-Logic Data Sheets (Rev. C) 2015年 12月 2日
セレクション・ガイド ロジック・ガイド (Rev. AA 翻訳版) 最新英語版 (Rev.AB) 2014年 11月 6日
ユーザー・ガイド LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
その他の技術資料 Digital Bus Switch Selection Guide (Rev. A) 2004年 11月 10日
アプリケーション・ノート Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
ユーザー・ガイド Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
アプリケーション・ノート Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

DIP-ADAPTER-EVM — DIP アダプタの評価基板

DIP-Adapter-EVM は、オペアンプの迅速なプロトタイプ製作とテストを可能にする評価基板です。小型の表面実装 IC とのインターフェイスを迅速、容易、低コストで実現します。付属の Samtec 端子ストリップか、回路への直接配線により、サポートされているオペアンプを接続できます。

DIP-Adapter-EVM キットは、業界標準の最も一般的なパッケージをサポートしています：

  • D と U（SOIC-8）
  • PW（TSSOP-8）
  • DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
  • DBV（SOT23-6、SOT23-5、SOT23-3）
  • DCK（SC70-6、SC70-5）
  • DRL（SOT563-6）
ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
インターフェイス・アダプタ

LEADED-ADAPTER1 — TI の 5、8、10、16、24 ピン・リード付きパッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダーへのアダプタ

EVM-LEADED1 ボードは、TI の一般的なリード付きパッケージによる迅速なテストとブレッド・ボードへの対応を可能にします。 TI の D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV、PW 表面実装パッケージを 100mil DIP ヘッダに変換するフットプリントを用意しています。     

ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

SN74CB3Q3305 IBIS Model

SCDM050.ZIP (24 KB) - IBIS Model
ダウンロード
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
TSSOP (PW) 8 Ultra Librarian
VSSOP (DCU) 8 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

投稿されたすべてのフォーラムトピック (英語) を表示

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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