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SN74CBT3125C

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–2V アンダーシュート保護機能搭載、5V、1:1 (SPST)、4 チャネル FET バス・スイッチ

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SN74CBT3125C

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製品詳細

Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 5 Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Ron (typ) (Ω) 3 CON (typ) (pF) 12.5 ON-state leakage current (max) (µA) 10 Bandwidth (MHz) 200 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Undershoot protection Input/output continuous current (max) (mA) 128 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (max) (V) 5.5
Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 5 Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Ron (typ) (Ω) 3 CON (typ) (pF) 12.5 ON-state leakage current (max) (µA) 10 Bandwidth (MHz) 200 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Undershoot protection Input/output continuous current (max) (mA) 128 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (max) (V) 5.5
SOIC (D) 14 51.9 mm² 8.65 x 6 SSOP (DB) 14 48.36 mm² 6.2 x 7.8 SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² 4.9 x 6 TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4 VQFN (RGY) 14 12.25 mm² 3.5 x 3.5
  • Undershoot Protection for Off-Isolation on A and B Ports Up To –2 V
  • Bidirectional Data Flow, With Near-Zero Propagation Delay
  • Low On-State Resistance (ron) Characteristics
          (ron = 3 Typical)
  • Low Input/Output Capacitance Minimizes Loading and Signal Distortion
         (Cio(OFF) = 5 pF Typical)
  • Data and Control Inputs Provide Undershoot Clamp Diodes
  • Low Power Consumption
         (ICC = 3 µA Max)
  • VCC Operating Range From 4 V to 5.5 V
  • Data I/Os Support 0 to 5-V Signaling Levels (0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
  • Control Inputs Can Be Driven by TTL or 5-V/3.3-V CMOS Outputs
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Supports Both Digital and Analog Applications: USB Interface, Bus Isolation, Low-Distortion Signal Gating
  • Undershoot Protection for Off-Isolation on A and B Ports Up To –2 V
  • Bidirectional Data Flow, With Near-Zero Propagation Delay
  • Low On-State Resistance (ron) Characteristics
          (ron = 3 Typical)
  • Low Input/Output Capacitance Minimizes Loading and Signal Distortion
         (Cio(OFF) = 5 pF Typical)
  • Data and Control Inputs Provide Undershoot Clamp Diodes
  • Low Power Consumption
         (ICC = 3 µA Max)
  • VCC Operating Range From 4 V to 5.5 V
  • Data I/Os Support 0 to 5-V Signaling Levels (0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
  • Control Inputs Can Be Driven by TTL or 5-V/3.3-V CMOS Outputs
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Supports Both Digital and Analog Applications: USB Interface, Bus Isolation, Low-Distortion Signal Gating

The SN74CBT3125C is a high-speed TTL-compatible FET bus switch with low ON-state resistance (ron), allowing for minimal propagation delay. Active Undershoot-Protection Circuitry on the A and B ports of the SN74CBT3125C provides protection for undershoot up to –2 V by sensing an undershoot event and ensuring that the switch remains in the proper OFF state.

The SN74CBT3125C is organized as four 1-bit bus switches with separate output-enable (1OE\, 2OE\, 3OE\, 4OE\) inputs. It can be used as four 1-bit bus switches or as one 4-bit bus switch. When OE\ is low, the associated 1-bit bus switch is ON, and the A port is connected to the B port, allowing bidirectional data flow between ports. When OE\ is high, the associated 1-bit bus switch is OFF, and the high-impedance state exists between the A and B ports.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff feature ensures that damaging current will not backflow through the device when it is powered down.

To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE\ should be tied to VCC through a pullup resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking capability of the driver.

The SN74CBT3125C is a high-speed TTL-compatible FET bus switch with low ON-state resistance (ron), allowing for minimal propagation delay. Active Undershoot-Protection Circuitry on the A and B ports of the SN74CBT3125C provides protection for undershoot up to –2 V by sensing an undershoot event and ensuring that the switch remains in the proper OFF state.

The SN74CBT3125C is organized as four 1-bit bus switches with separate output-enable (1OE\, 2OE\, 3OE\, 4OE\) inputs. It can be used as four 1-bit bus switches or as one 4-bit bus switch. When OE\ is low, the associated 1-bit bus switch is ON, and the A port is connected to the B port, allowing bidirectional data flow between ports. When OE\ is high, the associated 1-bit bus switch is OFF, and the high-impedance state exists between the A and B ports.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff feature ensures that damaging current will not backflow through the device when it is powered down.

To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE\ should be tied to VCC through a pullup resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking capability of the driver.
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート SN74CBT3125C データシート (Rev. A) 2003年 10月 15日
アプリケーション・ノート Selecting the Correct Texas Instruments Signal Switch (Rev. E) PDF | HTML 2022年 6月 2日
アプリケーション・ノート Multiplexers and Signal Switches Glossary (Rev. B) PDF | HTML 2021年 12月 1日
アプリケーション・ノート CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families (Rev. C) PDF | HTML 2021年 11月 19日
アプリケーション概要 Eliminate Power Sequencing with Powered-off Protection Signal Switches (Rev. C) PDF | HTML 2021年 1月 6日
セレクション・ガイド Little Logic Guide 2018 (Rev. G) 2018年 7月 6日
セレクション・ガイド Logic Guide (Rev. AB) 2017年 6月 12日
アプリケーション・ノート Understanding and Interpreting Standard-Logic Data Sheets (Rev. C) 2015年 12月 2日
セレクション・ガイド ロジック・ガイド (Rev. AA 翻訳版) 最新英語版 (Rev.AB) 2014年 11月 6日
ユーザー・ガイド LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
その他の技術資料 Digital Bus Switch Selection Guide (Rev. A) 2004年 11月 10日
アプリケーション・ノート Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
ユーザー・ガイド Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
アプリケーション・ノート Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

インターフェイス・アダプタ

LEADED-ADAPTER1 — TI の 5、8、10、16、24 ピン・リード付きパッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダーへのアダプタ

EVM-LEADED1 ボードは、TI の一般的なリード付きパッケージによる迅速なテストとブレッド・ボードへの対応を可能にします。 TI の D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV、PW 表面実装パッケージを 100mil DIP ヘッダに変換するフットプリントを用意しています。     

ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

SN74CBT3125C HSPICE Model (Rev. A)

SCDJ018A.ZIP (62 KB) - HSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・モデル

SN74CBT3125C IBIS Model

SCDM046.ZIP (27 KB) - IBIS Model
ダウンロード
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 14 Ultra Librarian
SSOP (DB) 14 Ultra Librarian
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 14 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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