PMP21479

具有 Si FET 的 65W 有源钳位反激式适配器参考设计,用于高功率密度 5-20V 交流/直流适配器

PMP21479

设计文件

概述

此参考设计利用 UCC28780 有源钳位反激式控制器生成 20V/15V/9V/5V 可调节输出电压。在输出电压为 20V 时,最大额定功率为 65W,在所有其他输出电压设置下,最高为 3A。此设计使用硅 FET,通过零电压开关 (ZVS) 和重新捕捉泄漏能量,达到 93% 的峰值效率。高效率有助于实现小巧的外形规格和高功率密度。

特性
  • 零电压开关 (ZVS) 实现高效率(93.5% 峰值)
  • 无负载时功耗很低 (33mW)
  • 支持输出 5V/3A、9V/3A、15V/3A 和 20V/3.25A
  • 测试报告中提供传导辐射 (EMI) 数据
  • 小巧的外形规格 (48mm x 48mm x 25mm) 实现高功率密度(18W/in3)
输出电压选项 PMP21479.1
Vin (Min) (V) 85
Vin (Max) (V) 265
Vout (Nom) (V) 20
Iout (Max) (A) 3.25
Output Power (W) 65
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type AC
Topology Flyback- Active Clamp
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设计文件和米6体育平台手机版_好二三四

设计文件

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参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

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在设计中包括 TI 米6体育平台手机版_好二三四和可能的替代米6体育平台手机版_好二三四。

MOSFET

CSD17575Q3采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

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交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

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半桥驱动器

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 65W Active Clamp Flyback With Si FETs Reference Design for a High Power Density (Rev. A) 2020年 4月 29日
应用手册 使用UCC28780控制器和UCC5304隔离式同步整流驱动器实现零电压开关反激拓扑 英语版 2021年 7月 2日

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