PMP41078
采用 GaN HEMT 的高压转低压直流/直流转换器参考设计
PMP41078
概述
此参考设计介绍了一款采用 650V 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)的 3.5kW 高压转低压直流/直流转换器。采用 LMG3522R030 作为初级开关可使该转换器在高开关频率下工作。在此设计中，转换器使用了尺寸更小的变压器。为了轻松满足有源钳位金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的热性能要求，转换器使用了双通道有源钳位电路。
特性
- 基于 GaN 的相移全桥 (PSFB) 采用 LMG3522 且通过 C29 微控制器单元 (MCU) 进行控制
- 开关频率为 200kHz，磁体尺寸比 100kHz 的情况低 35%
- 200kHz、400V 输入电压、13.5V 输出电压、大约 1kW 时效率为 95.48%
- 双有源钳位电路适用于高频场景和低同步整流器 (SR) MOSFET 电压应力
- 轻负载效率优化可将效率提升高达 5%
| 输出电压选项 | PMP41078.1 |
|---|---|
| Vin (Min) (V) | 200 |
| Vin (Max) (V) | 450 |
| Vout (Nom) (V) | 14 |
| Iout (Max) (A) | 250 |
| Output Power (W) | 3500 |
| Isolated/Non-Isolated | Isolated |
| Input Type | DC |
| Topology | Full Bridge- Phase Shifted |
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|---|---|---|---|---|---|---|
| 测试报告 | High-Voltage to Low-Voltage DC-DC Converter Reference Design With GaN HEMT | PDF | HTML | 2024年 8月 27日 |