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LM74202-Q1

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具有集成 FET 的 4.2V 至 40V、2.2A 300uA IQ 汽车理想二极管

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Vin (min) (V) 4.2 Vin (max) (V) 40 Number of channels 1 Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Automotive load dump compatibility, Gate ON/OFF control, Inrush current control, Overvoltage protection, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Thermal shutdown Iq (typ) (mA) 0.3 Iq (max) (mA) 0.4 FET Integrated back-to-back FET Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -10 Design support Calculation Tool, EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 2.2 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.016 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 4.2 Vin (max) (V) 40 Number of channels 1 Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Automotive load dump compatibility, Gate ON/OFF control, Inrush current control, Overvoltage protection, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Thermal shutdown Iq (typ) (mA) 0.3 Iq (max) (mA) 0.4 FET Integrated back-to-back FET Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -10 Design support Calculation Tool, EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 2.2 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.016 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
HTSSOP (PWP) 16 32 mm² 5 x 6.4
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1：–40°C ≤ TA ≤ +125°C
    • AEC-Q100-012 A 级短路可靠性
    • HBM ESD 分类等级 2
    • CDM ESD 分类等级 C6
  • 4.2V 至 40V 工作电压，最大值 42V
  • 集成反向输入极性保护，低至 -40V
  • 总 RON 为 150mΩ 的集成背对背 MOSFET
  • 高达 55V 的瞬态抗扰度
  • 0.1A 至 2.23A 可调节电流限制
    （1A 时精确度为 ±5%）
  • ISO7637 和 ISO16750-2 测试期间的负载保护
  • 电池短路和接地短路保护
  • 反向电流阻断，可提供输出对电池短路保护
  • IMON 电流指示器输出（精度为 ±8.5%）
  • 低静态电流（工作时为 285µA，关断时为 16µA）
  • 可调节的 UVLO、OVP 切断、浪涌电流控制
  • 可选电流限制故障响应选项（自动重试、闭锁、CB 模式）
  • 采用易于使用的 16 引脚 HTSSOP 封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1：–40°C ≤ TA ≤ +125°C
    • AEC-Q100-012 A 级短路可靠性
    • HBM ESD 分类等级 2
    • CDM ESD 分类等级 C6
  • 4.2V 至 40V 工作电压，最大值 42V
  • 集成反向输入极性保护，低至 -40V
  • 总 RON 为 150mΩ 的集成背对背 MOSFET
  • 高达 55V 的瞬态抗扰度
  • 0.1A 至 2.23A 可调节电流限制
    （1A 时精确度为 ±5%）
  • ISO7637 和 ISO16750-2 测试期间的负载保护
  • 电池短路和接地短路保护
  • 反向电流阻断，可提供输出对电池短路保护
  • IMON 电流指示器输出（精度为 ±8.5%）
  • 低静态电流（工作时为 285µA，关断时为 16µA）
  • 可调节的 UVLO、OVP 切断、浪涌电流控制
  • 可选电流限制故障响应选项（自动重试、闭锁、CB 模式）
  • 采用易于使用的 16 引脚 HTSSOP 封装

LM74202-Q1 器件是一款功能丰富的紧凑型 40V 集成式理想二极管，具有一整套保护 特性。宽电源输入范围允许控制 12V 汽车电池驱动 应用。此器件可以承受并保护由高达 ±40V 的正负电源供电的负载。负载、电源和器件保护还具有许多可编程 特性 ，包括过流保护、浪涌电流控制、过压保护和欠压阈值保护。此器件内部可靠的保护控制模块以及 40V 额定电压简化了针对 ISO 标准脉冲测试的系统设计。

借助关断引脚，可以从外部控制内部 FET 的启用和禁用，还可以将器件置于低电流关断模式。为实现系统状态监视和下游负载控制，此器件提供故障输出和精密电流监视输出。MODE 引脚可用于在三种电流限制故障响应（断路器、闭锁以及自动重试模式）之间灵活地对器件进行配置。此器件可监视 V(IN) 和 V(OUT)，以便在 V(IN) < (V(OUT)-10mV) 时提供反向电流阻断。该功能可在输出端发生电池短路故障期间保护系统总线不受过压影响，并且有助于在电源故障和欠压条件下满足保持电压的要求。

此器件采用 5mm × 4.4mm 16 引脚 HTSSOP，额定工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。

LM74202-Q1 器件是一款功能丰富的紧凑型 40V 集成式理想二极管，具有一整套保护 特性。宽电源输入范围允许控制 12V 汽车电池驱动 应用。此器件可以承受并保护由高达 ±40V 的正负电源供电的负载。负载、电源和器件保护还具有许多可编程 特性 ，包括过流保护、浪涌电流控制、过压保护和欠压阈值保护。此器件内部可靠的保护控制模块以及 40V 额定电压简化了针对 ISO 标准脉冲测试的系统设计。

借助关断引脚，可以从外部控制内部 FET 的启用和禁用，还可以将器件置于低电流关断模式。为实现系统状态监视和下游负载控制，此器件提供故障输出和精密电流监视输出。MODE 引脚可用于在三种电流限制故障响应（断路器、闭锁以及自动重试模式）之间灵活地对器件进行配置。此器件可监视 V(IN) 和 V(OUT)，以便在 V(IN) < (V(OUT)-10mV) 时提供反向电流阻断。该功能可在输出端发生电池短路故障期间保护系统总线不受过压影响，并且有助于在电源故障和欠压条件下满足保持电压的要求。

此器件采用 5mm × 4.4mm 16 引脚 HTSSOP，额定工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。
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