PMP8973

18Vdc-60Vdc 输入、3.3V/15A 有源钳位正向、1/8 砖型参考设计

PMP8973

设计文件

概述

PMP8973 参考设计可从 18V 至 60V 电信输入生成 3.3V/15A 输出。UCC2897A 控制有源钳位正向转换器功率级。CSD16415Q5 和 CSD18502Q5B 的低栅极和低导通电阻用作同步整流器,可提供高效设计。此设计布局在标准 1/8 砖型封装上并可实现超过 92% 的峰值效率。此设计包含输出电压遥感。

特性
  • 峰值效率 > 92%
  • 输出电压遥感
  • 18V-60Vdc 宽输入范围
  • 与标准 1/8(八分之一)砖型封装兼容
  • 提供测试报告
输出电压选项 PMP8973.1
Vin (Min) (V) 18
Vin (Max) (V) 60
Vout (Nom) (V) 3.3
Iout (Max) (A) 15
Output Power (W) 49.5
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Forward- Active Clamp^Forward- Synchronous
??image.gallery.download_zh_CN?? 观看带字幕的视频 视频

我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和米6体育平台手机版_好二三四

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUAB7.PDF (3596 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRG41.PDF (144 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRG42.PDF (82 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRG43.PDF (150 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDCAO0.ZIP (222 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

米6体育平台手机版_好二三四

在设计中包括 TI 米6体育平台手机版_好二三四和可能的替代米6体育平台手机版_好二三四。

MOSFET

CSD16415Q5采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF
MOSFET

CSD18502Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
MOSFET

CSD19533Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

UCC2897A具有 P 沟道钳位 FET 和线路过压保护的 110V 有源钳位电流模式 PWM 控制器

数据表: PDF | HTML
并联电压基准

LM4041D12精度为 1% 的 1.2V 精密微功耗并联电压基准

数据表: PDF | HTML
通用运算放大器

TLV272双路、16V、3MHz 运算放大器

数据表: PDF | HTML

技术文档

star
= TI 精选文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看所有 1
类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 PMP8973 Test Results 2015年 7月 16日

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

查看所有论坛主题
查看英文版所有论坛主题

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供,并不构成 TI 规范。参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 米6体育平台手机版_好二三四有疑问,请参阅 TI 支持

视频