ISO5851

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具有有源保护功能的 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器

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Number of channels

1

Isolation rating

Reinforced

Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms)

5700

Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms)

2121

Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK)

8000

Power switch

IGBT, MOSFET

Peak output current (A)

5

Features

Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection

Output VCC/VDD (max) (V)

30

Output VCC/VDD (min) (V)

15

Input supply voltage (min) (V)

3

Input supply voltage (max) (V)

5.5

Propagation delay time (µs)

0.076

Input threshold

CMOS

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Rating

Catalog

Bootstrap supply voltage (max) (V)

2121

Rise time (ns)

20

Fall time (ns)

20

Undervoltage lockout (typ) (V)

12

Number of channels

1

Isolation rating

Reinforced

Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms)

5700

Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms)

2121

Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK)

8000

Power switch

IGBT, MOSFET

Peak output current (A)

5

Features

Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection

Output VCC/VDD (max) (V)

30

Output VCC/VDD (min) (V)

15

Input supply voltage (min) (V)

3

Input supply voltage (max) (V)

5.5

Propagation delay time (µs)

0.076

Input threshold

CMOS

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Rating

Catalog

Bootstrap supply voltage (max) (V)

2121

Rise time (ns)

20

Fall time (ns)

20

Undervoltage lockout (typ) (V)

12

SOIC (DW)

16

106.09 mm² 10.3 x 10.3

在 V CM = 1500V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/µs
2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
短传播延迟：76ns（典型值）， 110ns（最大值）
2A 有源米勒钳位
输出短路钳位
在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警并通过 RST 复位
具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
3V 至 5.5V 输入电源电压
15V 至 30V 输出驱动器电源电压
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
工作温度：–40°C 至 +125°C（环境温度）
可承受的隔离浪涌电压 12800V PK
安全相关认证：
- 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准的 8000 V PK V IOTM 和 2121 V PK V IORM 增强型隔离
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 V RMS 隔离
- CSA 组件验收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
- 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
- 经 GB4943.1-2011 CQC 认证

在 V CM = 1500V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/µs
2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
短传播延迟：76ns（典型值）， 110ns（最大值）
2A 有源米勒钳位
输出短路钳位
在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警并通过 RST 复位
具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
3V 至 5.5V 输入电源电压
15V 至 30V 输出驱动器电源电压
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
工作温度：–40°C 至 +125°C（环境温度）
可承受的隔离浪涌电压 12800V PK
安全相关认证：
- 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准的 8000 V PK V IOTM 和 2121 V PK V IORM 增强型隔离
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 V RMS 隔离
- CSA 组件验收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
- 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
- 经 GB4943.1-2011 CQC 认证

ISO5851 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kV RMS 增强型隔离栅极驱动器，具有 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 3V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出侧支持的电源电压范围为 15V 至 30V。两路互补 CMOS 输入控制栅极驱动器输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。

内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过载状态。当检测到 DESAT 时，栅极驱动器输出会被拉低为 V EE2 电势，从而将 IGBT 立即关断。

当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。 FLT 的输出状态将被锁存，可通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT，输出电压会被硬钳位为 V EE2。如果输出电源为单极，那么可采用有源米勒钳位，这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流，从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。

当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。 FLT 的输出状态将被锁存，可通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT，输出电压会被硬钳位为 V EE2。如果输出电源为单极，那么可采用有源米勒钳位，这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流，从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制，这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足，RDY 输出会变为低电平；否则，该输出为高电平。

ISO5851 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装。此器件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 +125°C。