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Power switch MOSFET Operating temperature range (°C) to Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog
Power switch MOSFET Operating temperature range (°C) to Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
  • Independent high and low driver logic inputs (TTL for LM5101 or CMOS for LM5100)
  • Bootstrap supply voltage range up to 118V DC
  • Fast propagation times (25 ns typical)
  • Drives 1000 pF load with 15 ns rise and fall times
  • Excellent propagation delay matching (3 ns typical)
  • Supply rail under-voltage lockouts
  • Low power consumption
  • Pin compatible with HIP2100/HIP2101
  • Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
  • Independent high and low driver logic inputs (TTL for LM5101 or CMOS for LM5100)
  • Bootstrap supply voltage range up to 118V DC
  • Fast propagation times (25 ns typical)
  • Drives 1000 pF load with 15 ns rise and fall times
  • Excellent propagation delay matching (3 ns typical)
  • Supply rail under-voltage lockouts
  • Low power consumption
  • Pin compatible with HIP2100/HIP2101

The LM5100/LM5101 High Voltage Gate Drivers are designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of operating with supply voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with CMOS input thresholds (LM5100) or TTL input thresholds (LM5101). An integrated high voltage diode is provided to charge the high side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. This device is available in the standard SOIC-8 pin and the LLP-10 pin packages.

The LM5100/LM5101 High Voltage Gate Drivers are designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of operating with supply voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with CMOS input thresholds (LM5100) or TTL input thresholds (LM5101). An integrated high voltage diode is provided to charge the high side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. This device is available in the standard SOIC-8 pin and the LLP-10 pin packages.
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* 数据表 LM5100/LM5101 High Voltage High Side and Low Side Gate Driver 数据表 (Rev. C) 2005年 3月 16日
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应用手册 Application Note 1923 Current Sense Demo Board (SOIC) User's Guide (cn) 最新英语版本 (Rev.A) 2009年 4月 29日

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LM25101 — 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器 LM5100A — 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器 LM5100B — 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器 LM5100C — 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 1A、100V 半桥栅极驱动器 LM5101 — 高压高侧和低侧栅极驱动器 LM5101A — 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器 LM5101B — 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器 LM5101C — 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 1A、100V 半桥栅极驱动器 LM5102 — 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器 LM5104 — 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器 LM5106 — 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器 LM5107 — 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器 LM5108 — 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器 LM5109A — 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器 LM5109B — 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器
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