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具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Single
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Single
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • Adaptive Rising and Falling Edges With Programmable
    Additional Delay
  • Single Input Control
  • Bootstrap Supply Voltage Range up to 118-V DC
  • Fast Turnoff Propagation Delay (25 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Loads With 15-ns Rise and Fall Times
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • SOIC and WSON-10 4-mm × 4-mm Package
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • Adaptive Rising and Falling Edges With Programmable
    Additional Delay
  • Single Input Control
  • Bootstrap Supply Voltage Range up to 118-V DC
  • Fast Turnoff Propagation Delay (25 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Loads With 15-ns Rise and Fall Times
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  • SOIC and WSON-10 4-mm × 4-mm Package

The LM5104 High-Voltage Gate Driver is designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck configuration. The floating high-side driver can work with supply voltages up to 100 V. The high-side and low-side gate drivers are controlled from a single input. Each change in state is controlled in an adaptive manner to prevent shoot-through issues. In addition to the adaptive transition timing, an additional delay time can be added, proportional to an external setting resistor. An integrated high-voltage diode is provided to charge high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. This device is available in the standard SOIC and the WSON packages.

The LM5104 High-Voltage Gate Driver is designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck configuration. The floating high-side driver can work with supply voltages up to 100 V. The high-side and low-side gate drivers are controlled from a single input. Each change in state is controlled in an adaptive manner to prevent shoot-through issues. In addition to the adaptive transition timing, an additional delay time can be added, proportional to an external setting resistor. An integrated high-voltage diode is provided to charge high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. This device is available in the standard SOIC and the WSON packages.
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LM5104 Unencrypted PSpice Transient Model

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