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LM5113-Q1

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适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器

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Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • 符合汽车应用 标准
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 1C
    • 器件带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C6
  • 独立的高侧和低侧TTL 逻辑输入
  • 1.2A 峰值拉电流能力，5A 峰值灌电流能力
  • 高侧浮动偏置电压轨
    工作电压高达 100VDC
  • 内部自举电源电压钳位
  • 分离输出实现可调的
    开通和关断应力
  • 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻
  • 快速传播时间（典型值为 28ns）
  • 优异的传播延迟
    （典型值为 1.5ns)
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 符合汽车应用 标准
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 1C
    • 器件带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C6
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  • 内部自举电源电压钳位
  • 分离输出实现可调的
    开通和关断应力
  • 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻
  • 快速传播时间（典型值为 28ns）
  • 优异的传播延迟
    （典型值为 1.5ns)
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗

LM5113-Q1 专为同时驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 或硅质 MOSFET 而设计，适用于汽车 应用。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管，还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。高侧偏置电压在内部被钳位为 5.2V，可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅极/源极电压额定值。器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VDD 电压多高，它都能够承受高达 14V 的输入电压。LM5113-Q1 具有分栅输出的能力，可独立灵活地调节开通和关断强度。

此外，LM5113-Q1 具有非常可靠的灌电流能力，使栅极保持低电平，从而防止开关操作期间发生误导通。LM5113-Q1 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113-Q1 采用带有裸露焊盘的标准 10 引脚 WSON 封装，可改善功耗。

LM5113-Q1 专为同时驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 或硅质 MOSFET 而设计，适用于汽车 应用。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管，还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。高侧偏置电压在内部被钳位为 5.2V，可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅极/源极电压额定值。器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VDD 电压多高，它都能够承受高达 14V 的输入电压。LM5113-Q1 具有分栅输出的能力，可独立灵活地调节开通和关断强度。

此外，LM5113-Q1 具有非常可靠的灌电流能力，使栅极保持低电平，从而防止开关操作期间发生误导通。LM5113-Q1 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113-Q1 采用带有裸露焊盘的标准 10 引脚 WSON 封装，可改善功耗。

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