LM66100
- 宽工作电压范围：1.5V 至 5.5V
- 输入电压反向关断电压：
绝对最大电压为 –6V - 最大持续电流 (IMAX)：1.5A
- 导通电阻 (RON)：
- 5V VIN = 79mΩ（典型值）
- 3.6V VIN = 91mΩ（典型值）
- 1.8V VIN = 141mΩ（典型值）
- 启用比较器芯片 (CE)
- 通道状态指示 (ST)
- 低电流消耗：
- 3.6V VIN 关断电流 (ISD,VIN)：120nA（典型值）
- 3.6V VIN 静态电流 (IQ, VIN)：150nA（典型值）
LM66100 是单输入单输出 (SISO) 集成式理想二极管，非常适用于各种 解决方案。该器件包含一个可在 1.5V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 P 沟道 MOSFET，并且支持 1.5A 的最大持续电流。
该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。当 CE 引脚电压高于输入电压时，该器件被禁用并且 MOSFET 关闭。当 CE 引脚电压比较低时，MOSFET 开启。LM66100 还具有反极性保护 (RPP) 功能，该功能可以保护器件不受误接线输入的影响，例如电池装反。
可在 ORing 配置中使用两个 LM66100 器件，其实施方法与双二极管 ORing 相似。在此配置中，该器件将最高输出电压传递到输出端，同时阻断反向电流流入输入电源。这些器件可以比较输入和输出电压，以确保内部电压比较器成功阻止反向电流。
LM66100 采用标准 SC-70 封装，工作结温范围为 –40°C 至 125°C。
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-SC70 (DCK) | 6 | Ultra Librarian |
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