LMG1205
- 独立的高边和低边 TTL 逻辑输入
- 1.2A 峰值拉电流，5A 灌电流
- 高边浮动偏置电压轨 工作电压高达 100VDC
- 内部自举电源电压钳位
- 分离输出实现可调的 导通/关断强度
- 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻
- 快速传播时间（典型值为 35ns）
- 出色的传播延迟匹配 （典型值为 1.5ns）
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
LMG1205 设计用于驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高边和低边增强模式氮化镓 (GaN) FET。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管，还为高边和低边输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。高边偏置电压采用自举技术生成，内部钳位为 5V，可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LMG1205 的输入与 TTL 逻辑兼容，并且无论 VDD 电压如何，都能够承受高达 14V 的输入电压。LMG1205 具有分离栅输出，可独立灵活地调节导通和关断强度。
此外，LMG1205 具有强劲的灌电流能力，可使栅极保持低电平状态，从而防止开关操作期间发生意外导通。LMG1205 的工作频率可高达数 MHz。LMG1205 采用 12 引脚 DSBGA 封装，具有紧凑的外形尺寸和超小的封装电感。
技术文档
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查看全部 9 | 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | LMG1205 具有集成自举二极管的 100V、1.2A 至 5A 半桥 GaN 驱动器 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2023年 4月 20日 |
| 应用手册 | 在 GaN 半桥电路中实现自举过充预防 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023年 11月 20日 | |
| 应用简报 | Key Parameters and Driving Requirements of GaN FETs | PDF | HTML | 2022年 8月 4日 | |||
| 应用简报 | Nomenclature, Types, and Structure of GaN Transistors | PDF | HTML | 2022年 8月 4日 | |||
| 应用简报 | How GaN Enables More Efficient and Reduced Form Factor Power Supplies | PDF | HTML | 2022年 8月 2日 | |||
| 应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 白皮书 | Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A) | 2018年 11月 27日 | ||||
| EVM 用户指南 | Using the LMG1205HBEVM | 2017年 3月 22日 |
设计和开发
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评估板
LMG1205HBEVM — LMG1205 GaN 功率级评估模块
80V 10A 功率级 EVM - LMG1205 半桥 EVM 板是一款具有外部 PWM 信号的小型易用功率级。该 EVM 适用于在许多不同的直流/直流转换器拓扑中评估 LMG1205 的驱动 GaN 半桥的性能。它可用于估算半桥的性能，以测量效率。该模块能够提供的最大电流为 10A。但是，应进行充分的热管理（强制通风、低频运行等）以确保不超出板载组件的最大工作温度规范。由于该 EVM 为开环板，因此不适用于瞬态测量。
用户指南: PDF
模拟工具
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