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SN75374

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具有 2 个与非门输入（每个输出各一个）的 10mA/40mA 4 通道栅极驱动器

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Number of channels 4 Power switch MOSFET Peak output current (A) 0.5 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 7 Features Low Quiescent Current Operating temperature range (°C) 0 to 70 Rise time (ns) 20 Fall time (ns) 20 Propagation delay time (µs) 0.06 Input threshold TTL Channel input logic Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Driver configuration Quad inputs
Number of channels 4 Power switch MOSFET Peak output current (A) 0.5 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 7 Features Low Quiescent Current Operating temperature range (°C) 0 to 70 Rise time (ns) 20 Fall time (ns) 20 Propagation delay time (µs) 0.06 Input threshold TTL Channel input logic Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Driver configuration Quad inputs
PDIP (N) 16 181.42 mm² 19.3 x 9.4 SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6
  • Quadruple Circuits Capable of Driving High-Capacitance Loads at High Speeds
  • Output Supply Voltage Range From 5 V to 24 V
  • Low Standby Power Dissipation
  • VCC3 Supply Maximizes Output Source Voltage
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  • Output Supply Voltage Range From 5 V to 24 V
  • Low Standby Power Dissipation
  • VCC3 Supply Maximizes Output Source Voltage

The SN75374 is a quadruple NAND interface circuit designed to drive power MOSFETs from TTL inputs. It provides the high current and voltage necessary to drive large capacitive loads at high speeds.

The outputs can be switched very close to the VCC2 supply rail when VCC3 is about 3 V higher than VCC2. VCC3 can also be tied directly to VCC2 when the source voltage requirements are lower.

The SN75374 is a quadruple NAND interface circuit designed to drive power MOSFETs from TTL inputs. It provides the high current and voltage necessary to drive large capacitive loads at high speeds.

The outputs can be switched very close to the VCC2 supply rail when VCC3 is about 3 V higher than VCC2. VCC3 can also be tied directly to VCC2 when the source voltage requirements are lower.
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  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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