TPS51200-EP

Name: TPS51200-EP
Brand: TI
SKU: TPS51200-EP
Price: 5.1 USD

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灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

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Vin (min) (V)

1.1

Vin (max) (V)

3.5

Vout (min) (V)

-0.3

Vout (max) (V)

3.6

Features

Complete Solution

Iq (typ) (mA)

0.5

Rating

HiRel Enhanced Product

Operating temperature range (°C)

-55 to 125

Product type

DDR

DDR memory type

DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3

Vin (min) (V)

1.1

Vin (max) (V)

3.5

Vout (min) (V)

-0.3

Vout (max) (V)

3.6

Features

Complete Solution

Iq (typ) (mA)

0.5

Rating

HiRel Enhanced Product

Operating temperature range (°C)

-55 to 125

Product type

DDR

DDR memory type

DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3

VSON (DRC)

9 mm² 3 x 3

输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
VLDOIN 电压范围：1.1V 至 3.5V
具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器
所需最小输出电容为 20μF（通常为 3 × 10μF MLCC），用于存储器终端应用 (DDR)
用于监视输出稳压的 PGOOD
EN 输入
REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
远程感测 (VOSNS)
±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
内置软启动，欠压锁定 (UVLO) 和过流限制 (OCL)
热关断
符合 DDR 和 DDR2 JEDEC 规范
支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
带有散热焊盘的 10 引脚超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装
支持国防、航天和医疗应用
- 受控基线
- 一个组装和测试场所
- 一个制造场所
- 支持军用温度范围（-55°C 至 125°C）
- 延长的米6体育平台手机版_好二三四使用寿命周期
- 延长的米6体育平台手机版_好二三四变更通知
- 米6体育平台手机版_好二三四可追溯性

应用范围

用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 的存储器终端稳压器
笔记本、台式机和服务器
电信和数据通信
基站
液晶 (LCD) 电视和等离子 (PDP) 电视
复印机和打印机
机顶盒

All trademarks are the property of their respective owners.

输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
VLDOIN 电压范围：1.1V 至 3.5V
具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器
所需最小输出电容为 20μF（通常为 3 × 10μF MLCC），用于存储器终端应用 (DDR)
用于监视输出稳压的 PGOOD
EN 输入
REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
远程感测 (VOSNS)
±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
内置软启动，欠压锁定 (UVLO) 和过流限制 (OCL)
热关断
符合 DDR 和 DDR2 JEDEC 规范
支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
带有散热焊盘的 10 引脚超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装
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TPS51200-EP 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专用于空间问题是重要考量因素的低输入电压、低成本、低噪声系统。

TPS51200-EP 能够保持快速瞬态响应，最低仅需 20μF 输出电容。TPS51200-EP 支持远程感测功能并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。

此外，TPS51200-EP 还提供一个开漏 PGOOD 信号监测输出稳压，提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RA4M）期间针对 DDR 进行 VTT 放电。

TPS51200-EP 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装，无铅且绿色环保。其额定工作温度范围为 -55°C 至 +125°C。

TPS51200-EP 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专用于空间问题是重要考量因素的低输入电压、低成本、低噪声系统。

此外，TPS51200-EP 还提供一个开漏 PGOOD 信号监测输出稳压，提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RA4M）期间针对 DDR 进行 VTT 放电。

TPS51200-EP 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装，无铅且绿色环保。其额定工作温度范围为 -55°C 至 +125°C。

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	类型	标题		下载最新的英语版本		日期
*	数据表	TPS51200-EP 灌/拉 DDR 终端稳压器数据表	PDF \| HTML	英语版	PDF \| HTML	2016年 8月 11日
*	VID	TPS51200-EP VID V6216610				2018年 3月 27日
*	辐射与可靠性报告	TPS51200MDRCTEP Reliability Report				2016年 9月 21日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TPS51200EVM — TPS51200 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

TPS51200EVM 评估板 HPA322A 旨在评估 TI 的低成本 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终端稳压器 TPS51200 的性能特性。TPS51200 旨在为 DDR 存储器提供适当的终止电压和 10mA 缓冲基准电压，该存储器涵盖 DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) 规格，并具有超少的外部元件。

用户指南: PDF