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TPS51216-EP

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增强型米6体育平台手机版_好二三四完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案同步降压控制器

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.7 Vout (max) (V) 1.8 Features Shutdown Pin for S3 Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -55 to 125 Iq (typ) (mA) 0.6 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR2, LPDDR3
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WQFN (RUK) 20 9 mm² 3 x 3
  • 同步降压控制器 (VDDQ)
    • 转换电压范围：3 至 28 V
    • 输出电压范围：0.7 至 1.8 V
    • 0.8% VREF 精度
    • D-CAP™ 模式，可实现快速瞬态响应
    • 可选 300kHz/400kHz 开关频率
    • 自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率
    • 支持 S4/S5 状态下的软关闭
    • OCL/OVP/UVP/UVLO 保护
    • 电源正常输出
  • 2A LDO (VTT)、缓冲基准 (VTTREF)
    • 2A（峰值）灌电流和拉电流
    • 只需 10µF 陶瓷输出电容
    • 经缓冲的低噪声 10mA VTTREF 输出
    • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
    • 在 S3 下支持高阻抗，在 S4/S5 下支持软关闭
  • 热关断
  • 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装
  • 支持国防、航天和医疗应用
    • 受控基线
    • 一个组装/测试基地
    • 一个制造基地
    • 支持军用（-55°C 至 125°C）温度范围，(1)
    • 延长了米6体育平台手机版_好二三四生命周期
    • 延长了米6体育平台手机版_好二三四变更通知
    • 米6体育平台手机版_好二三四可追溯性

(1)提供额外的温度范围 - 请联系工厂
  • 同步降压控制器 (VDDQ)
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    • 0.8% VREF 精度
    • D-CAP™ 模式，可实现快速瞬态响应
    • 可选 300kHz/400kHz 开关频率
    • 自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率
    • 支持 S4/S5 状态下的软关闭
    • OCL/OVP/UVP/UVLO 保护
    • 电源正常输出
  • 2A LDO (VTT)、缓冲基准 (VTTREF)
    • 2A（峰值）灌电流和拉电流
    • 只需 10µF 陶瓷输出电容
    • 经缓冲的低噪声 10mA VTTREF 输出
    • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
    • 在 S3 下支持高阻抗，在 S4/S5 下支持软关闭
  • 热关断
  • 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装
  • 支持国防、航天和医疗应用
    • 受控基线
    • 一个组装/测试基地
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(1)提供额外的温度范围 - 请联系工厂

TPS51216-EP 以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP™ 模式与 300kHz/400kHz 频率相结合，以实现易用性和快速瞬态响应。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10µF 的陶瓷电容器。此外，还提供专用的 LDO 电源输入。

TPS51216-EP 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关闭）。

TPS51216-EP 以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP™ 模式与 300kHz/400kHz 频率相结合，以实现易用性和快速瞬态响应。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10µF 的陶瓷电容器。此外，还提供专用的 LDO 电源输入。

TPS51216-EP 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关闭）。
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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPS51216-EP 具有同步降压控制器、2A LDO 和缓冲基准的完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 7月 21日
* VID TPS51216-EP VID V6216601 2018年 3月 27日
* 辐射与可靠性报告 TPS51216MRUKREP Reliability Report 2016年 4月 11日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

仿真模型

TPS51216 PSpice Transient Model

SLUM395.ZIP (67 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TPS51216 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM459.TSC (648 KB) - TINA-TI Reference Design
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仿真模型

TPS51216 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM458.ZIP (72 KB) - TINA-TI Spice Model
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WQFN (RUK) 20 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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