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UC1825B-SP

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耐辐射 QMLV、30V 输入、2A 双输出 1MHz PWM 控制器

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Vin (max) (V) 30 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Control mode Peak current mode, Voltage Topology Boost, Flyback, Forward, Full bridge, Half bridge, Push pull Rating Space Features Adjustable switching frequency, Enable/Shutdown, Error amplifier, Integrated gate drivers, Programmable soft start, Soft start Duty cycle (max) (%) 80
Vin (max) (V) 30 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Control mode Peak current mode, Voltage Topology Boost, Flyback, Forward, Full bridge, Half bridge, Push pull Rating Space Features Adjustable switching frequency, Enable/Shutdown, Error amplifier, Integrated gate drivers, Programmable soft start, Soft start Duty cycle (max) (%) 80
CFP (HKT) 16 72.136 mm² 10.16 x 7.1 DIESALE (KGD) — See data sheet
  • 符合 QML-V 标准，SMD 5962-8768106
  • 5962 R8768106VYC：
    • 耐辐射加固保障 (RHA) 能力高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID) (1)
  • 与电压或电流模式拓扑兼容
  • 实际工作开关频率高达 1MHz
  • 50ns 传播延迟到输出
  • 大电流双图腾柱输出（2A 峰值）
  • 宽带宽误差放大器
  • 带有双脉冲抑制功能的全锁存逻辑
  • 逐脉冲电流限制
  • 软启动/最大占空比控制
  • 带有迟滞功能的欠压锁定
  • 低启动电流 (1.1mA)

(1)辐射耐受性是基于初始器件认证（剂量率 = 10mrad(Si)/s）获得的典型值。提供辐射批次验收测试 - 详细信息请联系厂家。
  • 符合 QML-V 标准，SMD 5962-8768106
  • 5962 R8768106VYC：
    • 耐辐射加固保障 (RHA) 能力高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID) (1)
  • 与电压或电流模式拓扑兼容
  • 实际工作开关频率高达 1MHz
  • 50ns 传播延迟到输出
  • 大电流双图腾柱输出（2A 峰值）
  • 宽带宽误差放大器
  • 带有双脉冲抑制功能的全锁存逻辑
  • 逐脉冲电流限制
  • 软启动/最大占空比控制
  • 带有迟滞功能的欠压锁定
  • 低启动电流 (1.1mA)

(1)辐射耐受性是基于初始器件认证（剂量率 = 10mrad(Si)/s）获得的典型值。提供辐射批次验收测试 - 详细信息请联系厂家。

UC1825B-SP PWM 控制器件针对高频开关模式电源应用进行了优化。对在大大增加误差放大器的带宽和转换率的同时，大大减小通过比较器和逻辑电路的传播延迟给与了特别关注。这个控制器设计用于电流模式或电压模式系统，此系统具有输出电压前馈功能。

保护电路包括一个阈值电压为 1V 的电流限制比较器、一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚，此引脚可对折为一个最大占空比钳位。此逻辑被完全锁存以提供无抖动运行，并且抑制了输出上的多脉冲。一个具有 800mV 滞后的欠压闭锁部分可确保低启动电流。欠压闭锁期间，输出为高阻抗。

这个器件特有推挽式输出，此输出被设计用来拉、灌来自电容负载（诸如一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极）的高峰值电流。导通状态设计为高电平。

UC1825B-SP PWM 控制器件针对高频开关模式电源应用进行了优化。对在大大增加误差放大器的带宽和转换率的同时，大大减小通过比较器和逻辑电路的传播延迟给与了特别关注。这个控制器设计用于电流模式或电压模式系统，此系统具有输出电压前馈功能。

保护电路包括一个阈值电压为 1V 的电流限制比较器、一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚，此引脚可对折为一个最大占空比钳位。此逻辑被完全锁存以提供无抖动运行，并且抑制了输出上的多脉冲。一个具有 800mV 滞后的欠压闭锁部分可确保低启动电流。欠压闭锁期间，输出为高阻抗。

这个器件特有推挽式输出，此输出被设计用来拉、灌来自电容负载（诸如一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极）的高峰值电流。导通状态设计为高电平。
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设计和开发

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