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UCC27332-Q1

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具有 20V VDD 和使能端的汽车级 9A/9A 单通道栅极驱动器

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UCC27332-Q1

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 9 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 9 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Driver configuration Non-Inverting
Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 9 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 9 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Driver configuration Non-Inverting
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 业界通用引脚排列
  • 典型的 9A 灌电流、9A 拉电流输出
  • 输入引脚可承受高达 -5V 的电压
  • 绝对最大 VDD 电压：20V
  • 宽 VDD 工作范围为 4.5V 至 18V
  • 采用 3mm x 3mm MSOP8 封装
  • 典型值为 25ns 的传播延迟
  • TTL 兼容输入阈值
  • 工作结温范围：–40°C 至 125°C
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 业界通用引脚排列
  • 典型的 9A 灌电流、9A 拉电流输出
  • 输入引脚可承受高达 -5V 的电压
  • 绝对最大 VDD 电压：20V
  • 宽 VDD 工作范围为 4.5V 至 18V
  • 采用 3mm x 3mm MSOP8 封装
  • 典型值为 25ns 的传播延迟
  • TTL 兼容输入阈值
  • 工作结温范围：–40°C 至 125°C

UCC27332-Q1 是一款单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET 和 GaN 开关管。UCC27332-Q1 的典型峰值驱动强度为 9A，这有助于缩短开关管的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。UCC27332-Q1 器件的短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。

UCC27332-Q1 可以在输入端处理 –5V 的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性。独立的使能信号支持在不依赖主控制逻辑的情况下对功率级进行控制。如果在系统中检测到故障，栅极驱动器可以快速关断功率级（需要关断动力总成）。使能功能还可提高系统稳健性。许多高频开关电源在电源器件的栅极都存在高频噪音，这种噪音会进入栅极驱动器的输出引脚，造成驱动器故障。UCC27332-Q1 具有瞬态反向电流和反向电压功能，因此在上述情况下具有优异的性能。

如果 VDD 电压低于指定的上电复位阈值，强大的内部下拉 MOSFET 可使输出保持低电平。此有源下拉特性可进一步改善系统稳健性。小型 3mm × 3mm MSOP 封装可优化栅极驱动器放置并改进布局。这种小型封装还可优化栅极驱动器放置并改进布局。

UCC27332-Q1 是一款单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET 和 GaN 开关管。UCC27332-Q1 的典型峰值驱动强度为 9A，这有助于缩短开关管的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。UCC27332-Q1 器件的短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。

UCC27332-Q1 可以在输入端处理 –5V 的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性。独立的使能信号支持在不依赖主控制逻辑的情况下对功率级进行控制。如果在系统中检测到故障，栅极驱动器可以快速关断功率级（需要关断动力总成）。使能功能还可提高系统稳健性。许多高频开关电源在电源器件的栅极都存在高频噪音，这种噪音会进入栅极驱动器的输出引脚，造成驱动器故障。UCC27332-Q1 具有瞬态反向电流和反向电压功能，因此在上述情况下具有优异的性能。

如果 VDD 电压低于指定的上电复位阈值，强大的内部下拉 MOSFET 可使输出保持低电平。此有源下拉特性可进一步改善系统稳健性。小型 3mm × 3mm MSOP 封装可优化栅极驱动器放置并改进布局。这种小型封装还可优化栅极驱动器放置并改进布局。
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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 UCC27332-Q1 具有 –5V 输入能力、适用于汽车应用的 20V、9A 单通道低侧栅极驱动器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022年 4月 7日
证书 UCC27332Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 5月 3日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC27322Q1EVM — 具有使能端的 UCC27322-Q1 汽车类单路 9A 高速低侧 MOSFET 驱动器

UCC2732X-Q1 是一系列高速驱动器，能够提供高达 9A 的峰值驱动电流，经优化可适用于因高 dv/dt 转换而需要极端 Miller 电流的系统。借助该 EVM，可实现对所提供两个逻辑选项（反相 (UCC27321-Q1) 和非反相 (UCC27322-Q1)）的评估。UCC27321-Q1 提供使能 (ENBL) 功能以更好地控制驱动器应用的操作，为方便起见，已将此功能在 EVM 上进行了细分。此系列的驱动器可用作低功耗控制器（分立式控制器、DSP、MCU 或微控制器）和功率 MOSFET 之间的接口。

用户指南: PDF
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评估板

UCC27332Q1EVM — UCC27332-Q1 具有使能功能的单通道 18V、9A 高速低侧 MOSFET 驱动器评估模块

UCC27332-Q1 评估模块主要用于评估 UCC27332-Q1 的性能。此驱动器是一款 20V VDD 低侧驱动器，具有 9A 峰值拉电流和 9A 峰值灌电流，用于驱动 N 沟道 MOSFET。该评估板还可用于评估支持的封装中的其他引脚对引脚兼容器件。

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模拟工具

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参考设计

PMP41078 — 采用 GaN HEMT 的高压转低压直流/直流转换器参考设计

此参考设计介绍了一款采用 650V 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)的 3.5kW 高压转低压直流/直流转换器。采用 LMG3522R030 作为初级开关可使该转换器在高开关频率下工作。在此设计中，转换器使用了尺寸更小的变压器。为了轻松满足有源钳位金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的热性能要求，转换器使用了双通道有源钳位电路。
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
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  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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