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LM5050-1-Q1

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汽车类 5V 至 75V、400uA IQ ORing FET 控制器

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Vin (min) (V) 5 Vin (max) (V) 75 Number of channels 1 Features AUX input, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.4 Iq (max) (mA) 0.79 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External single FET IGate source (typ) (µA) 31 IGate source (max) (µA) 41 IGate sink (typ) (mA) 2.8 IGate pulsed (typ) (A) 2.8 Operating temperature range (°C) -40 to 150 VSense reverse (typ) (mV) -41, -28 Design support EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 250 VGS (max) (V) 14 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.1 Device type ORing controller Product type ORing controller
Vin (min) (V) 5 Vin (max) (V) 75 Number of channels 1 Features AUX input, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.4 Iq (max) (mA) 0.79 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External single FET IGate source (typ) (µA) 31 IGate source (max) (µA) 41 IGate sink (typ) (mA) 2.8 IGate pulsed (typ) (A) 2.8 Operating temperature range (°C) -40 to 150 VSense reverse (typ) (mV) -41, -28 Design support EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 250 VGS (max) (V) 14 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.1 Device type ORing controller Product type ORing controller
SOT-23-THN (DDC) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1（高达 150°C TJ）和 LM5050Q1MK-1（高达 125°C TJ）
  • 提供功能安全
    • 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
  • 宽工作输入电压范围 VIN：1V 至 75V（VIN < 5V 时需要 VBIAS）
  • 100V 瞬态电压
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
  • 针对电流反向 50ns 快速响应
  • 2A 峰值栅极关断电流
  • 超小 VDS 关断电压，可缩短关断时间
  • 封装：SOT-6（薄型 SOT-23-6）
  • 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1（高达 150°C TJ）和 LM5050Q1MK-1（高达 125°C TJ）
  • 提供功能安全
    • 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
  • 宽工作输入电压范围 VIN：1V 至 75V（VIN < 5V 时需要 VBIAS）
  • 100V 瞬态电压
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
  • 针对电流反向 50ns 快速响应
  • 2A 峰值栅极关断电流
  • 超小 VDS 关断电压，可缩短关断时间
  • 封装：SOT-6（薄型 SOT-23-6）

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作，当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。

LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源，可承受高达 100V 的瞬态电压。

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作，当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。

LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源，可承受高达 100V 的瞬态电压。
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用户指南 AN-2087 LM5050-1EVAL Evaluation Board (Rev. A) 2013年 5月 6日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LM5050MK-1EVAL — 用于 LM5050-1 的评估板

The LM5050-1 evaluation board is designed to demonstrate the capabilities of the LM5050-1 OR-ing Diode Controller. One high side N-channel power MOSFET is used. The evaluation board is designed to highlight applications with a small solution size.

用户指南: PDF
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仿真模型

LM5050 Unencrypted PSPICE Transient Model

SNVM010.ZIP (347 KB) - PSpice Model
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模拟工具

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参考设计

TIDA-00992 — 汽车反向极性保护参考设计

反极性是汽车环境中所需的标准保护。当分离和重新连接电池电缆时，存在将电线连接到错误的电池端子的可能性。此错误可能会损坏电子控制单元 (ECU) 中的组件。为避免对 ECU 造成损坏，需要进行反极性保护。可以使用肖特基二极管，但将会产生持续高功率损耗。  该参考设计使用 LM5050-Q1，同时搭配 n 通道 MOSFET，可提供反极性保护并降低功率耗散。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-23-THN (DDC) 6 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

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包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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