LM5114
- Independent Source and Sink Outputs for
Controllable Rise and Fall Times - 4-V to 12.6-V Single Power Supply
- 7.6-A/1.3-A Peak Sink and Source Drive Current
- 0.23-Ω Open-drain Pulldown Sink Output
- 2-Ω Open-drain Pullup Source Output
- 12-ns (Typical) Propagation Delay
- Matching Delay Time Between Inverting and
Noninverting Inputs - TTL/CMOS Logic Inputs
- 0.68-V Input Hysteresis
- Up to 14-V Logic Inputs (Regardless of VDD Voltage)
- Low Input Capacitance: 2.5-pF (Typical)
- –40°C to 125°C Operating Temperature Range
- Pin-to-Pin Compatible With MAX5048
- 6-Pin SOT-23
The LM5114 is designed to drive low-side MOSFETs in boost-type configurations or to drive secondary synchronous MOSFETs in isolated topologies. With strong sink current capability, the LM5114 can drive multiple FETs in parallel. The LM5114 also has the features necessary to drive low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The LM5114 provides inverting and noninverting inputs to satisfy requirements for inverting and Noninverting gate drive in a single device type. The inputs of the LM5114 are TTL/CMOS Logic compatible and withstand input voltages up to 14 V regardless of the VDD voltage. The LM5114 has split gate outputs, providing flexibility to adjust the turnon and turnoff strength independently. The LM5114 has fast switching speed and minimized propagation delays, facilitating high-frequency operation. The LM5114 is available in a 6-pin SOT-23 package and a 6-pin WSON package with an exposed pad to aid thermal dissipation.
技术文档
类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
* | 数据表 | LM5114 Single 7.6-A Peak Current Low-Side Gate Driver 数据表 (Rev. F) | PDF | HTML | 2015年 11月 30日 | ||
应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
应用手册 | Improving Efficiency of DC-DC Conversion through Layout | 2019年 5月 7日 | ||||
应用简报 | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019年 1月 18日 | ||||
更多文献资料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
应用简报 | Enable Function with Unused Differential Input | 2018年 7月 11日 | ||||
更多文献资料 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 | 最新英语版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 | |||
白皮书 | 证明 GaN 米6体育平台手机版_好二三四可靠性的一整套综合算法 | 英语版 | 2016年 3月 30日 | |||
白皮书 | Advancing Power Supply Solutions Through the Promise of GaN | 2015年 2月 24日 | ||||
用户指南 | AN-2206 LM5114 Evaluation Board (Rev. A) | 2013年 5月 3日 | ||||
更多文献资料 | 增強型 GaN 功率 FET 柵極驅動器 | 2012年 2月 27日 |
设计和开发
如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。
LM5114BSDEVAL — LM5114 升压闸极驱动器评估板
The LM5114 is a single low-side gate driver with 7.6A/1.3A peak sink/source drive current capability. It can be used to drive standard Si MOSFETs or enhancement mode GaN FETs in boost type configurations or to drive secondary synchronous FETs in isolated topologies. The LM5114 evaluation board is (...)
PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短米6体育平台手机版_好二三四上市时间并降低开发成本。
在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
PMP22510 — 开关型集成电容器降压 (SCIB) 转换器参考设计
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
---|---|---|
SOT-23 (DBV) | 6 | Ultra Librarian |
WSON (NGG) | 6 | Ultra Librarian |
订购和质量
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐米6体育平台手机版_好二三四可能包含与 TI 此米6体育平台手机版_好二三四相关的参数、评估模块或参考设计。