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理想二极管/ORing 控制器
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LM74912-Q1

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具有集成过压和短路保护以及故障输出功能的汽车理想二极管

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Under voltage lock out Iq (typ) (mA) 0.63 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00287 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Under voltage lock out Iq (typ) (mA) 0.63 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00287 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
VQFN (RGE) 24 16 mm² 4 x 4
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 功能安全型
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (-10.5mV)，能够快速响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调节过压和欠压保护
  • 具有 MOSFET 锁存状态的输出短路保护
  • 超低功耗模式具有 2.5µA 关断电流（EN=低电平）
  • 睡眠模式具有 6µA 电流（EN=高电平，SLEEP=低电平）
  • 采用合适的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用 4mm × 4mm 24 引脚 VQFN 封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 功能安全型
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (-10.5mV)，能够快速响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调节过压和欠压保护
  • 具有 MOSFET 锁存状态的输出短路保护
  • 超低功耗模式具有 2.5µA 关断电流（EN=低电平）
  • 睡眠模式具有 6µA 电流（EN=高电平，SLEEP=低电平）
  • 采用合适的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用 4mm × 4mm 24 引脚 VQFN 封装

LM74912-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而仿真具有电源路径开/关控制及过压、欠压和输出短路保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成的电流检测放大器，可提供基于外部 MOSFET VDS 检测的短路保护和可调节电流限值。当检测到输出发生短路时，器件会锁存负载断开 MOSFET。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM74912-Q1 的最大额定电压为 65V。

LM74912-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而仿真具有电源路径开/关控制及过压、欠压和输出短路保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成的电流检测放大器，可提供基于外部 MOSFET VDS 检测的短路保护和可调节电流限值。当检测到输出发生短路时，器件会锁存负载断开 MOSFET。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM74912-Q1 的最大额定电压为 65V。
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* 数据表 LM74912-Q1 具有故障输出及过压、欠压和短路保护功能的汽车类理想二极管控制器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 9月 27日
应用简报 通过 LM74912-Q1 睡眠模式实现超低静态电流和为常开负载供 电 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 14日
证书 LM74912Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 6月 26日

设计和开发

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评估板

LM74912Q1EVM — LM74912-Q1 理想二极管控制器评估模块

LM74912-Q1 评估模块可评估 LM74912-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示了 LM74912-Q1 如何控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET，以便仿真具有电源路径开/关控制功能以及输出短路和过压保护功能的理想二极管整流器。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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仿真模型

LM74912-Q1 PSpice Transient Model

SNOM786.ZIP (118 KB) - PSpice Model
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计算工具

LM74912-CALC — Design calculator for LM74912-Q1 ideal diode controller

The design calculator allows user to size the external peripheral components while designing with LM74912-Q1 ideal diode controller
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源米6体育平台手机版_好二三四系列以及精选的模拟行为模型。

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参考设计

PMP31252 — 适用于汽车应用的 150W 双相同步降压转换器参考设计

此设计展示了一款可用作双路输出转换器的低 EMI 双相降压转换器。作为一个双相转换器，此电路可在 12V 至 5V 配置中提供 30A 峰值的 22A 连续输出电流。
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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