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TPS24751

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具有用于外部阻断 FET 的驱动器的 2.5V 至 18V、3mΩ、0.01A 至 12A 电子保险丝

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FET Internal Ron (typ) (mΩ) 3 Vin (min) (V) 2.5 Vin (max) (V) 18 Vabsmax_cont (V) 30 Current limit (min) (A) 0.01 Current limit (max) (A) 12 Overcurrent response Circuit breaker, current limiting Fault response Auto-retry Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Features Current monitoring, Fault output, Power good signal, Reverse current blocking when off Rating Catalog Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -40 to 85 Function Adjustable current limit, Current monitoring, Inrush current control, Overvoltage protection, Power good signal, Short circuit protection, Thermal shutdown Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.001 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.0014
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VQFN (RUV) 36 24.5 mm² 7 x 3.5
  • 2.5V 至 18V 总线运行
  • 持续电流高达 12A
  • 具有 3mΩ（典型值）RDS(on) 的集成 MOSFET
  • 可编程电流限制
  • 可编程 FET 安全运行区域 (SOA) 保护
  • 从 10mA 至 12A 的高 ILimit 精度
  • 可编程故障定时器
  • 用于短路保护的快速断路器
  • 可编程 VOUT 转换率，欠压 (UV) 和过压 (OV)
  • 电源正常和故障输出
  • 模拟负载电流监视器
  • 热关断
  • 通过 UL 2367 认证 – 文件编号 E339631
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  • 通过 UL 2367 认证 – 文件编号 E339631

TPS2475x 可以为 2.5V 至 18V 应用提供高度集成的负载 保护。该器件在单个适用于小外形尺寸应用的封装内集成了一个热插拔控制器和一个 功率 MOSFET。这些器件保护电源、负载和内部 MOSFET 不受潜在损害事件的影响。在启动过程中，负载电流与 MOSFET 功率耗散被限制在用户选定值内。在启动之后，将允许超过用户选定限值的电流流动，直至设定的超时为止 — 负载与电源直接断开的极端过载情况除外。

可编程 FET SOA 保护确保内部 MOSFET 始终在其安全运行区域 (SOA) 内运行，并且负载以一个已定义的斜升速率启动。这在提升系统稳定性的同时增加了内部 MOSFET 性能。针对系统状态监视以及下游负载控制提供电源正常、故障和电流监视输出。

这些器件采用 36 引脚 7mm × 3.5mm QFN (RUV) 封装，额定工作结温范围为 –40°C 至 +125°C。

TPS2475x 可以为 2.5V 至 18V 应用提供高度集成的负载 保护。该器件在单个适用于小外形尺寸应用的封装内集成了一个热插拔控制器和一个 功率 MOSFET。这些器件保护电源、负载和内部 MOSFET 不受潜在损害事件的影响。在启动过程中，负载电流与 MOSFET 功率耗散被限制在用户选定值内。在启动之后，将允许超过用户选定限值的电流流动，直至设定的超时为止 — 负载与电源直接断开的极端过载情况除外。

可编程 FET SOA 保护确保内部 MOSFET 始终在其安全运行区域 (SOA) 内运行，并且负载以一个已定义的斜升速率启动。这在提升系统稳定性的同时增加了内部 MOSFET 性能。针对系统状态监视以及下游负载控制提供电源正常、故障和电流监视输出。

这些器件采用 36 引脚 7mm × 3.5mm QFN (RUV) 封装，额定工作结温范围为 –40°C 至 +125°C。
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