TPS543C20A

正在供货

具有自适应内部补偿功能的 4V 至 16V、40A 同步 SWIFT™ 降压转换器

米6体育平台手机版_好二三四详情

Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Topology Buck Type Converter Iout (max) (A) 40 Vin (min) (V) 4 Vin (max) (V) 16 Switching frequency (min) (kHz) 300 Switching frequency (max) (kHz) 2000 Features Adjustable current limit, Differential Remote Sense, Enable, Forced PWM, Frequency synchronization, Over Current Protection, Phase Interleaving, Power good, Pre-Bias Start-Up, Soft Start Adjustable, Synchronous Rectification, UVLO Fixed Control mode ACM/AECM Vout (min) (V) 0.6 Vout (max) (V) 5.5 Iq (typ) (µA) 4300 Duty cycle (max) (%) 70
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LQFN-CLIP (RVF) 40 35 mm² 7 x 5
  • 内部补偿高级电流模式控制 40A POL
  • 输入电压范围:4V 至 16V
  • 输出电压范围:0.6V 至 5.5V
  • 集成 3.4/0.9mΩ 堆叠式 NexFET™功率级,带有无损低侧电流检测功能
  • 固定频率 - 同步到外部时钟和/或同步输出
  • 可通过引脚搭接进行编程的开关频率
    • 独立模式下为 300kHz 至 2MHz
    • 堆叠模式下为 300kHz 至 1MHz
  • 通过双倍堆叠实现高达 80A 负载,并具有电流共享、电压共享和 CLK 同步功能
  • 可通过引脚搭接进行编程的基准电压介于 0.6V 至 1.1V 之间,精度达 0.5%
  • 差分遥感
  • 安全启动至预偏置输出电压
  • 高精度打嗝电流限制
  • 异步脉冲注入 (API) 和体制动
  • 40 引脚 5mm × 7mm LQFN 封装,具有 0.5mm 间距和单个散热垫
  • 使用 TPS543C20A 并借助 WEBENCH® 电源设计器创建定制设计方案
  • 内部补偿高级电流模式控制 40A POL
  • 输入电压范围:4V 至 16V
  • 输出电压范围:0.6V 至 5.5V
  • 集成 3.4/0.9mΩ 堆叠式 NexFET™功率级,带有无损低侧电流检测功能
  • 固定频率 - 同步到外部时钟和/或同步输出
  • 可通过引脚搭接进行编程的开关频率
    • 独立模式下为 300kHz 至 2MHz
    • 堆叠模式下为 300kHz 至 1MHz
  • 通过双倍堆叠实现高达 80A 负载,并具有电流共享、电压共享和 CLK 同步功能
  • 可通过引脚搭接进行编程的基准电压介于 0.6V 至 1.1V 之间,精度达 0.5%
  • 差分遥感
  • 安全启动至预偏置输出电压
  • 高精度打嗝电流限制
  • 异步脉冲注入 (API) 和体制动
  • 40 引脚 5mm × 7mm LQFN 封装,具有 0.5mm 间距和单个散热垫
  • 使用 TPS543C20A 并借助 WEBENCH® 电源设计器创建定制设计方案

TPS543C20A 采用内部补偿的仿真峰值电流模式控制方式,具有适用于 EMI 敏感型 POL 的时钟同步固定频率调制器。内部积分器和直接放大式斜坡跟踪环路在较宽频率范围内消除了对外部补偿的需求,从而使系统设计具有灵活、密集和简单的特点。可选的 API 和体制动功能有助于分别通过显著减少下冲和过冲来提高瞬态性能。具有低损耗开关特性的集成式 NexFET™MOSFET 有助于提高效率和提供高达 40A 的输出电流(采用 5mm × 7mm 的 PowerStack™封装,带有方便布局的散热垫)。两个 TPS543C20A 器件可以堆叠在一起,以便提供高达 80A 的负载点。

TPS543C20A 采用内部补偿的仿真峰值电流模式控制方式,具有适用于 EMI 敏感型 POL 的时钟同步固定频率调制器。内部积分器和直接放大式斜坡跟踪环路在较宽频率范围内消除了对外部补偿的需求,从而使系统设计具有灵活、密集和简单的特点。可选的 API 和体制动功能有助于分别通过显著减少下冲和过冲来提高瞬态性能。具有低损耗开关特性的集成式 NexFET™MOSFET 有助于提高效率和提供高达 40A 的输出电流(采用 5mm × 7mm 的 PowerStack™封装,带有方便布局的散热垫)。两个 TPS543C20A 器件可以堆叠在一起,以便提供高达 80A 的负载点。

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设计和开发

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测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
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