UCC21220A
- 支持基本隔离和功能隔离
- CMTI 大于 100V/ns
- 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
- 开关参数：
- 40ns 最大传播延迟
- 5ns 最大延迟匹配
- 5.5ns 最大脉宽失真
- 35µs 最大 VDD 上电延迟
- 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
- 5V 和 8V VDD UVLO 选项
- 工作温度范围 (TA) = –40°C 至 125°C
- 窄体 SOIC-16 (D) 封装
- 抑制短于 5ns 的输入脉冲
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 安全相关认证：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离（计划）
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
- 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证（计划）
UCC21220 和 UCC21220A 器件是具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在 PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率 MOSFET 和 GaNFET，借助超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)，可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。
这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联，以形成单个驱动器，由于具有一流的延迟匹配性能，因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。
保护特性包括以下几项：DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出；INA/B 引脚可抑制短于 5ns 的输入瞬态；输入和输出可以承受 –2V 的尖峰达 200ns，所有电源都具有欠压锁定 (UVLO) 功能，有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在 2.1V 以下。
凭借这些特性，这些器件可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 13 | 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | UCC21220、UCC21220A 具有高噪声抗扰度的 4A/6A 双通道基本隔离式和功能隔离式栅极驱动器 数据表 (Rev. F) | PDF | HTML | 最新英语版本 (Rev.G) | PDF | HTML | 2024年 2月 21日 |
| 证书 | VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. W) | 2024年 1月 31日 | ||||
| 白皮书 | 隔离式栅极驱动器的影响 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2021年 4月 14日 | |||
| 应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 测试报告 | Peak Efficiency at 99%, 585-W High-Voltage Buck Reference Design | 2020年 4月 24日 | ||||
| 证书 | UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) | 2019年 7月 22日 | ||||
| 用户指南 | Gate Drive Voltage vs. Efficiency | 2019年 4月 25日 | ||||
| 应用简报 | How to Drive High Voltage GaN FETs with UCC21220A | 2019年 3月 6日 | ||||
| 应用手册 | Common Mode Transient Immunity (CMTI) for UCC2122x Isolated Gate Drivers | 2018年 7月 19日 | ||||
| 白皮书 | Demystifying high-voltage power electronics for solar inverters | 2018年 6月 6日 | ||||
| 应用手册 | Solar Inverter Layout Considerations for UCC21220 | 2018年 6月 6日 | ||||
| EVM 用户指南 | UCC21220EVM-009 User's Guide (Rev. B) | 2018年 4月 12日 |
设计和开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
评估板
UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A/6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器评估模块
UCC21220EVM-009 专为评估 UCC21220 而设计，后者是一款具有 4.0A 拉电流和 6.0A 峰值灌电流容量的 3.0kVRMS 隔离双通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
模拟工具
PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®
PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源米6体育平台手机版_好二三四系列以及精选的模拟行为模型。
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短米6体育平台手机版_好二三四上市时间并降低开发成本。
在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短米6体育平台手机版_好二三四上市时间并降低开发成本。
在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
参考设计
PMP30446 — 采用标准 Si-MOSFET 的 99% 峰值效率、585W 高压降压参考设计
此参考设计将 450V 至 780V 的直流输入源转换为 1.5A、390V 非隔离式输出。由于其实际功率级仅使用标准的器件组件，该参考设计是 SiC FET 和 SiC 二极管降压转换器的替代解决方案。为了使用额定值为 600V 的器件，将输入源拆分，从而允许两个相同的降压级共用中心点。单个耦合电感 (1:1) 可自动平衡中心点。如果两个 FET 出现电压不均衡，或其栅极驱动延迟时间略有差异，两个小型串联电感器可限制每个分支的电流。在 CRM 模式（临界导通模式）下，该转换器可最大程度地降低开关损耗，从而在 450V 输入电压和满载条件下实现 99% 的峰值效率。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 16 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐米6体育平台手机版_好二三四可能包含与 TI 此米6体育平台手机版_好二三四相关的参数、评估模块或参考设计。