この製品には新バージョンがあります。
比較対象デバイスのアップグレード版機能を搭載した、ドロップイン代替製品
TPD4S010
- IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Protection
- ±8-kV Contact Discharge
- IEC 61000-4-5 Surge Protection
- 2.5A (8/20µs)
- I/O Capacitance: 0.8 pF (Typical)
- Low Leakage Current: 10 nA (Typical)
- Supports High-Speed Differential Data Rates
(3-dB Bandwidth > 4 GHz) - Ultra-low Matching Capacitance Between
Differential Signal Pairs - Ioff Feature for the TPD4S009
- Industrial Temperature Range:
–40°C to 85°C - Easy Straight through Routing, Space-Saving
Package Options
The TPD4S009 and TPD4S010 are four-channel TVS diode arrays for electrostatic discharge (ESD) protection. TPD4S009 and TPD4S010 are rated to dissipate contact ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Level 4), with ±8-kV contact discharge ESD protection. The low capacitance (0.8-pF) of these devices, coupled with the excellent matching between differential signal pairs (0.05-pF line-line capacitance for the TPD4S009DRY) enables this device to provide transient voltage suppression circuit protection for high-speed differential data rates (3-dB bandwidth > 4 GHz).
The TPD4S009 is offered in DBV, DCK, DGS, and DRY packages. The TPD4S009DRYR is the most space saving package option available for dual pair high-speed differential lines. The TPD4S010 is offered in the industry standard DQA package. The TPD4S009DGSR and TPD4S010DQAR offer flow-through board layout options to reduce signal glitches normally caused by routing mismatches between the D+ and D– signal pair. See also TPD4E05U06DQAR which is P2P compatible with TPD4S010DQAR. This device offers higher IEC ESD protection, lower capacitance, lower RDYN, lower DC breakdown voltage, and lower clamping voltage.
技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | TPD4S009 4-Channel ESD Solution for High-Speed Differential Interface データシート (Rev. G) | PDF | HTML | 2015年 6月 26日 | ||
ユーザー・ガイド | Reading and Understanding an ESD Protection Data Sheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2023年 9月 19日 | |||
セレクション・ガイド | System-Level ESD Protection Guide (Rev. D) | 2022年 9月 7日 | ||||
アプリケーション・ノート | ESD Protection Layout Guide (Rev. A) | PDF | HTML | 2022年 4月 7日 | |||
ホワイト・ペーパー | Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments | 2016年 2月 10日 | ||||
Analog Design Journal | Design Considerations for System-Level ESD Circuit Protection | 2012年 9月 25日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
DRV8353RH-EVM — DRV8353RH evaluation module, three-phase brushless DC smart gate driver
The DRV8353RH-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8353RH gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ MOSFETs.
The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making this evaluation module ideal for sensorless BLDC (...)
DRV8353RS-EVM — DRV8353RS evaluation module, three-phase brushless DC smart gate driver
The DRV8353RS-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8353RS gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ MOSFETs.
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ESDEVM — ESD の評価基板
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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USON (DQA) | 10 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。