基带单元 (BBU)
米6体育平台手机版_好二三四和参考设计
基带单元 (BBU)
概述
我们的集成电路和参考设计可帮助您创建具有信号完整性和低功耗的基带单元 (BBU),同时按照 5G 标准进行设计。使用下面的交互式系统图可设计与新款处理器/FPGA 兼容且满足连接需求的系统。
设计要求
现代 BBU 设计需要:
- 通过基于分组的前传接口实现网络同步。
- 通过出色的信号完整性不断提高数据速率。
- 适用于高环境温度的高效电源管理。
探索功能和设计相似的应用
方框图
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基带单元 (BBU)
Isolated -48-V DC/DC power supply
隔离 (4)
数字隔离器
电源管理 (33)
低侧驱动器
半桥驱动器
并联电压基准
交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)
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UCC2897A—具有 P 沟道钳位 FET 和线路过压保护的 110V 有源钳位电流模式 PWM 控制器
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UCD9248—数字 PWM 系统控制器
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UCD3138—用于隔离电源的高度集成数字控制器(具有 3 个反馈环路和 8 个 DPWM 输出)
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UCD3138064—具有 64kB 存储器、适用于隔离电源的高集成度数字控制器
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UCD3138A64—适用于隔离式电源的高集成度数字控制器
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UCD3138128—适用于隔离式电源的高集成度数字控制器
MOSFET
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CSD18531Q5A—采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD19536KTT—采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD18513Q5A—采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17577Q3A—采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17573Q5B—采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17578Q5A—采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
AC/DC 和 DC/DC 转换器(集成 FET)
放大器 (9)
模拟电流检测放大器
数字功率监控器
技术文档
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