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LMG1210

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适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 300 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.01 Rise time (ns) 0.5 Fall time (ns) 0.5 Iq (mA) 0.3 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 300 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.01 Rise time (ns) 0.5 Fall time (ns) 0.5 Iq (mA) 0.3 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Internal LDO Driver configuration Half bridge
WQFN (RVR) 19 12 mm² 4 x 3
  • 工作频率高达 50MHz
  • 10ns 典型传播延迟
  • 3.4ns 高侧至低侧匹配
  • 4ns 最小脉宽
  • 两个控制输入选项
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 独立输入模式
  • 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流
  • 外部自举二极管可实现灵活性
  • 内部 LDO 可实现对电压轨的适应能力
  • 高 300V/ns CMTI
  • HO 到 LO 的电容小于 1pF
  • UVLO 和过热保护
  • 低电感 WQFN 封装
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  • 内部 LDO 可实现对电压轨的适应能力
  • 高 300V/ns CMTI
  • HO 到 LO 的电容小于 1pF
  • UVLO 和过热保护
  • 低电感 WQFN 封装

LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器，专为要求超高频率、高效率的 应用 而开发， 具有 可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配，以优化系统效率。此部件还 具备 一个内部 LDO，可确保 5V 的栅极驱动器电压（而与电源电压无关）。

为了在各种应用中获得 最佳性能，LMG1210 允许设计人员选择最佳的自举二极管对高侧自举电容器充电。当低侧不导通时，内部开关会关闭自举二极管，以有效防止高侧自举过度充电，并将反向恢复电荷降至最低。GaN FET 上额外的寄生电容被最小化至小于 1pF，以减少额外的开关损耗。

该 LMG1210 具有 两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入独立控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可将每个沿的死区时间从 0ns 调节为 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的宽温度范围内运行，并采用低电感 WQFN 封装。

LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器，专为要求超高频率、高效率的 应用 而开发， 具有 可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配，以优化系统效率。此部件还 具备 一个内部 LDO，可确保 5V 的栅极驱动器电压（而与电源电压无关）。

为了在各种应用中获得 最佳性能，LMG1210 允许设计人员选择最佳的自举二极管对高侧自举电容器充电。当低侧不导通时，内部开关会关闭自举二极管，以有效防止高侧自举过度充电，并将反向恢复电荷降至最低。GaN FET 上额外的寄生电容被最小化至小于 1pF，以减少额外的开关损耗。

该 LMG1210 具有 两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入独立控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可将每个沿的死区时间从 0ns 调节为 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的宽温度范围内运行，并采用低电感 WQFN 封装。
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EVM 用户指南 Using the LMG1210EVM-012 300 V Half-Bridge Driver for GaN 2018年 1月 29日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LMG1210EVM-012 — LMG1210 半桥开环评估模块

LMG1210EVM-012 旨在用于评估适用于 GaN FET 的 LMG1210 兆赫兹级 200V 半桥驱动器。该 EVM 由两个配置在同一半桥中的氮化镓 FET 组成，这两个 FET 由一个 LMG1210 驱动。评估板上没有控制器。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

LMG1210 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM615C.ZIP (22427 KB) - PSpice Model
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仿真模型

LMG1210 TINA-TI Reference Design (Rev. C)

SNOM617C.TSC (610 KB) - TINA-TI Reference Design
下载
仿真模型

LMG1210 Unencrypted PSPICE Transient Model

SNOM677.ZIP (7 KB) - PSpice Model
下载
CAD/CAE 符号

LMG1210 Altium Deisgn Files

SNOR026.ZIP (3265 KB)
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计算工具

SNOR035 — LMG1210 Component Design Calculator and Schematic Review

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半桥驱动器
LMG1210 — 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

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参考设计

PMP22951 — 具有有源钳位的 54V、3kW 相移全桥参考设计

该参考设计是一款基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB) 转换器。此设计在次级侧使用了有源钳位来最大限度地减小同步整流器 (SR) MOSFET 上的电压应力，从而支持使用具有更优品质因数 (FOM) 的较低电压等级 MOSFET。PMP22951 在初级侧使用 30mΩ GaN，并在同步整流器中使用 100V、1.8mΩ GaN。通过使用 TMS320F280049C 实时微控制器，可实现 PSFB 控制。PSFB 转换器在 140kHz 开关频率下运行，可在 385V 输入下实现 97.45% 的峰值效率。
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参考设计

PMP21440 — 对比：0.8V/8W GaN 与硅质电源参考设计

该参考设计为客户提供有关电源设计中 GaN 与 SI 使用情况的对比研究。该特定的设计使用 TPS40400 控制器来驱动 CSD87381（对于硅电源）和采用 EPC2111 的 LMG1210（对于 GaN 电源），以提供 0.8V 的电压和 10A 的电流。该设计将硅功率级与 GaN 功率级进行比较，以说明在使用 GaN 进行设计时的设计折衷和必要的优化。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-01634 — 适用于高速直流/直流转换器的数兆赫兹 GaN 功率级参考设计

此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，此参考设计不仅可以显著改善功率密度，同时还能实现良好的效率和较宽的控制带宽。此功率级设计可广泛应用于众多需要快速响应的空间受限型应用，例如 5G 电信电源、服务器和工业电源。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WQFN (RVR) 19 Ultra Librarian
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  • REACH
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  • 引脚镀层/焊球材料
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  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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