平板电脑（多媒体）
米6体育平台手机版_好二三四和参考设计
平板电脑（多媒体）
概述
我们的集成电路和参考设计可帮助您创建多媒体平板电脑设计，实现高性能音频和创新功能，同时延长电池寿命。借助下面的交互图，您可以利用我们先进的显示、音频和电源管理技术来设计一款针对功耗和性能进行优化的平板电脑。
设计要求
现代平板电脑（多媒体）设计通常需要：
- 可延长电池运行时间的电源效率。
- 在超小的空间内实现高性能音频放大结果。
- 通过多个传感器和模拟器件实现创新的用户界面设计。
探索功能和设计相似的应用
方框图
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平板电脑（多媒体）
DC/DC power supply
电源管理 (27)
AC/DC 和 DC/DC 转换器（集成 FET）
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TPS63810—可实现动态电压调节且具有 I²C 接口的 2.5A 高效降压/升压转换器
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TPS563203—采用 SOT563 封装的 4.2V 至 17V 输入、3A 同步降压转换器
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TPS61256—采用 1.2mm x 1.3mm WCSP 封装的 3.5MHz、5V、900mA 负载升压转换器
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TPS61256C—采用 1.2mm x 1.3mm WCSP 封装且具有直通模式的 3.5MHz、5V、900mA 负载升压转换器
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TPS629206—采用 SOT-583 封装的 3V 至 17V、0.6A、低 IQ 同步降压转换器
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TPS62825—采用 1.5mm x 1.5mm QFN 封装、具有 1% 精度的 2.4V 至 5.5V 输入、2A 降压转换器
线性和低压降 (LDO) 稳压器
负载开关
理想二极管/ORing 控制器
MOSFET
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CSD25501F3—采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD87501L—采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD87381P—采用 3mm x 2.5mm LGA 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17579Q5A—采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17318Q2—采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17576Q5B—采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
技术文档
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