主页 电源管理 栅极驱动器 半桥驱动器
主页
电源管理
栅极驱动器
半桥驱动器

LM5102

正在供货

具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

立即订购
数据表

LM5102

正在供货
数据表 立即订购

米6体育平台手机版_好二三四详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
VSSOP (DGS) 10 14.7 mm² 3 x 4.9 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • Independently Programmable High and Low Side Rising Edge Delay
  • Bootstrap Supply Voltage Range up to 118 V dc
  • Fast Turn-Off Propagation Delay (25 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Loads with 15-ns Rise and Fall Times
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Timer Can Be Terminated Midway Through Sequence
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • Independently Programmable High and Low Side Rising Edge Delay
  • Bootstrap Supply Voltage Range up to 118 V dc
  • Fast Turn-Off Propagation Delay (25 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Loads with 15-ns Rise and Fall Times
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Timer Can Be Terminated Midway Through Sequence

The LM5102 high-voltage gate driver is designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with supply voltages up to 100 V. The outputs are independently controlled. The rising edge of each output can be independently delayed with a programming resistor. An integrated high voltage diode is provided to charge the high side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from control logic to the high side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. This device is available in the standard VSSOP 10 pin and the WSON 10 pin packages.

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.

The LM5102 high-voltage gate driver is designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with supply voltages up to 100 V. The outputs are independently controlled. The rising edge of each output can be independently delayed with a programming resistor. An integrated high voltage diode is provided to charge the high side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from control logic to the high side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. This device is available in the standard VSSOP 10 pin and the WSON 10 pin packages.

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.
filter 查找其他 半桥驱动器
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此米6体育平台手机版_好二三四的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 5
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LM5102 High-Voltage Half-Bridge Gate Driver With Programmable Delay 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 2014年 12月 15日
应用简报 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
应用简报 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
更多文献资料 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018年 10月 29日
更多文献资料 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 最新英语版本 (Rev.A) 2018年 4月 17日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

计算工具

SNVR521 — LM51xx Schematic Review Template

支持的米6体育平台手机版_好二三四和硬件

支持的米6体育平台手机版_好二三四和硬件

米6体育平台手机版_好二三四
半桥驱动器
LM25101 — 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器 LM5100A — 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器 LM5100B — 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器 LM5100C — 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 1A、100V 半桥栅极驱动器 LM5101 — 高压高侧和低侧栅极驱动器 LM5101A — 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器 LM5101B — 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器 LM5101C — 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 1A、100V 半桥栅极驱动器 LM5102 — 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器 LM5104 — 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器 LM5106 — 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器 LM5107 — 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器 LM5108 — 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器 LM5109A — 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器 LM5109B — 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器
下载
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源米6体育平台手机版_好二三四系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短米6体育平台手机版_好二三四上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
发送申请
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSSOP (DGS) 10 Ultra Librarian
WSON (DPR) 10 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐米6体育平台手机版_好二三四可能包含与 TI 此米6体育平台手机版_好二三四相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频