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LM74910-Q1

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具有断路器、200kHz ACS 以及欠压和过压保护功能的汽车类理想二极管

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LM74910-Q1

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection Iq (typ) (mA) 0.63 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00287 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
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VQFN (RGE) 24 16 mm² 4 x 4
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 功能安全型
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (-10.5mV)，具有快速关断响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调过流和短路保护
  • 精度为 10% 的模拟电流监视器输出 (IMON)
  • 可调节过压和欠压保护
  • 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）
  • 睡眠模式，电流为 6µA（EN=高电平， SLEEP=低电平）
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 功能安全型
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
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  • 可调节过压和欠压保护
  • 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）
  • 睡眠模式，电流为 6µA（EN=高电平， SLEEP=低电平）
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装

LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。

LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。
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设计和开发

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评估板

LM74900Q1EVM — LM74900-Q1 理想二极管控制器评估模块

LM74900-Q1 评估模块可评估 LM74900-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示了 LM74900-Q1 如何控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET，以仿真具有电源路径开/关控制功能以及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。

用户指南: PDF | HTML
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仿真模型

LM74910-Q1 PSpice Transient Model

SNOM778.ZIP (114 KB) - PSpice Model
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计算工具

LM749X0-CALC — Design calculator for LM74900-Q1 and LM74910-Q1 devices

The design calculator allows user to size the external peripheral components while designing with LM74900-Q1 and LM74910-Q1 Devices
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源米6体育平台手机版_好二三四系列以及精选的模拟行为模型。

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参考设计

PMP23227 — 适用于 AMD Versal™ 边缘 AI 系列的电力输送参考设计

本参考设计展示了如何通过 TI 稳压器 IC 为 VE2302 器件所需的电源轨供电，并遵循 AMD 的最少电源轨整合方案。如需了解所有可用的电源整合选项，请参阅 AMD 的电源设计管理器 (PDM) 工具。在估算任何应用的功耗时，请使用 PDM。本参考设计使用示例功耗估算。此外，还可以本设计为基础，为 AI 边缘系列的其他器件设计电源树。该系统原始电源的输入电压通常为 8V 至 18V 并且能够提供约 50W 功率。
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