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LMG2640

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具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、105mΩ GaN FET 半桥

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米6体育平台手机版_好二三四详情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 105 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 105 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RRG) 40 63 mm² 9 x 7
  • 650V GaN 功率 FET 半桥
  • 105mΩ 低侧和高侧 GaN FET
  • 具有低传播延迟的集成栅极驱动器
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 低侧/高侧栅极驱动互锁
  • 高侧栅极驱动信号电平转换器
  • 智能开关自举二极管功能
  • 高侧启动：< 8µs
  • 低侧/高侧逐周期过流保护
  • 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
  • AUX 空闲静态电流：250µA
  • AUX 待机静态电流：50µA
  • BST 空闲静态电流：65µA
  • 最大电源和输入逻辑引脚电压：26V
  • 具有双散热焊盘的 9mm×7mm QFN 封装
  • 650V GaN 功率 FET 半桥
  • 105mΩ 低侧和高侧 GaN FET
  • 具有低传播延迟的集成栅极驱动器
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 低侧/高侧栅极驱动互锁
  • 高侧栅极驱动信号电平转换器
  • 智能开关自举二极管功能
  • 高侧启动：< 8µs
  • 低侧/高侧逐周期过流保护
  • 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
  • AUX 空闲静态电流：250µA
  • AUX 待机静态电流：50µA
  • BST 空闲静态电流：65µA
  • 最大电源和输入逻辑引脚电压：26V
  • 具有双散热焊盘的 9mm×7mm QFN 封装

LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥，适用于开关模式电源应用中 。LMG2640 通过在 9mm x 7mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。

与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到 PCB 电源地进行冷却。

高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。

LMG2640 具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。

LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥，适用于开关模式电源应用中 。LMG2640 通过在 9mm x 7mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。

与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到 PCB 电源地进行冷却。

高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。

LMG2640 具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。
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* 数据表 LMG2640 用于有源钳位反激式转换器的 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 8月 16日
EVM 用户指南 LMG2640 半桥子卡评估模块 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 10月 10日

设计和开发

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子卡

LMG2640EVM-090 — LMG2640 子卡

LMG2640 子卡评估模块 (EVM) 旨在提供一个快速简便的平台来评估 TI 集成 GaN 器件在任何半桥拓扑中的应用。该电路板旨在使用电路板底部边缘的 6 个电源引脚和 10 个数字引脚与更大的系统连接。电源引脚形成主开关环路，该回路由高压直流母线、开关节点和电源接地组成。数字引脚通过 PWM 栅极输入来控制 LMG2640 器件，使用低压电源提供辅助电源，并以数字输出形式报告故障信息。使用 TI 的同步降压/升压主板 (LMG342X-BB-EVM) 可以非常轻松地评估 LMG2640EVM (...)

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计算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
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氮化镓 (GaN) 功率级
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级 LMG2100R044 — 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET LMG2610 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥 LMG2640 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、105mΩ GaN FET 半桥 LMG2650 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、95mΩ GaN 半桥 LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半桥功率级
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