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LMG2650

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具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、95mΩ GaN 半桥

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VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 95 ID (max) (A) 9.7 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
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  • 650V GaN 功率 FET 半桥
  • 95mΩ 低侧和高侧 GaN FET
  • 传播延迟低于 100ns 的集成栅极驱动器
  • 可编程导通压摆率控制
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 低侧参考 (INH) 和高侧参考 (GDH) 高侧栅极驱动引脚
  • 低侧 (INL)/高侧 (INH) 栅极驱动互锁
  • 高侧 (INH) 栅极驱动信号电平转换器
  • 智能开关自举二极管功能
  • 高侧启动：<8µs
  • 低侧/高侧逐周期过流保护
  • 过热保护
  • AUX 空闲静态电流：250µA
  • AUX 待机静态电流：50µA
  • BST 空闲静态电流：85µA
  • 具有双散热焊盘的 8mm x 6mm QFN 封装
  • 650V GaN 功率 FET 半桥
  • 95mΩ 低侧和高侧 GaN FET
  • 传播延迟低于 100ns 的集成栅极驱动器
  • 可编程导通压摆率控制
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 低侧参考 (INH) 和高侧参考 (GDH) 高侧栅极驱动引脚
  • 低侧 (INL)/高侧 (INH) 栅极驱动互锁
  • 高侧 (INH) 栅极驱动信号电平转换器
  • 智能开关自举二极管功能
  • 高侧启动：<8µs
  • 低侧/高侧逐周期过流保护
  • 过热保护
  • AUX 空闲静态电流：250µA
  • AUX 待机静态电流：50µA
  • BST 空闲静态电流：85µA
  • 具有双散热焊盘的 8mm x 6mm QFN 封装

LMG2650 是一款 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半桥。LMG2650 通过在 6mm x 8mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。

可编程导通压摆率可实现 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到 PCB 电源地进行冷却。

高侧 GaN 功率 FET 可通过低侧参考栅极驱动引脚 (INH) 或高侧参考栅极驱动引脚 (GDH) 进行控制。在具有挑战性的电源开关环境中，高侧栅极驱动信号电平转换器能够可靠地将 INH 引脚信号传输到高侧栅极驱动器。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。

LMG2650 具有低静态电流和快速启动时间，可满足转换器轻负载效率要求，并实现突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。超低压摆率设置支持电机驱动应用。

LMG2650 是一款 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半桥。LMG2650 通过在 6mm x 8mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。

可编程导通压摆率可实现 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到 PCB 电源地进行冷却。

高侧 GaN 功率 FET 可通过低侧参考栅极驱动引脚 (INH) 或高侧参考栅极驱动引脚 (GDH) 进行控制。在具有挑战性的电源开关环境中，高侧栅极驱动信号电平转换器能够可靠地将 INH 引脚信号传输到高侧栅极驱动器。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。

LMG2650 具有低静态电流和快速启动时间，可满足转换器轻负载效率要求，并实现突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。超低压摆率设置支持电机驱动应用。
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* 数据表 LMG2650 具有集成驱动器和电流检测仿真功能的 650V 95 mΩ GaN 半桥 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 11月 1日

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LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
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氮化镓 (GaN) 功率级
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级 LMG2100R044 — 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET LMG2610 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥 LMG2650 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、95mΩ GaN 半桥 LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半桥功率级
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