LMG3650R025
- 具有集成式栅极驱动器的 650V 25mΩ GaN 功率 FET
- >200V/ns FET 释抑
- 可调压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
- 10V/ns 至 100V/ns 导通压摆率
- 10V/ns 至全速关断压摆率
- 可在电源引脚和输入逻辑引脚电压范围为 9V 至 26V 的情况下运行
- 强大的保护
- 响应时间 <300ns 的逐周期过流和锁存短路保护
- 硬开关时可承受 720V 浪涌
- 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
- 高级电源管理
- LMG3656R025 包括零电压检测（ZVD）功能，便于转换器的软切换，
- LMG3657R025 包括零电流检测（ZCD）功能，可促进转换器的软切换，
- 带有散热焊盘的 9.8mm × 11.6mm TOLL 封装
LMG365xR025 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。
可调栅极驱动器强度允许独立地控制导通和最大关断压摆率，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。导通压摆率可以从 10V/ns 到 100V/ns 不等、而关断压摆率限制在 10V/ns 至最大值之间。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期过流限制、短路和过热保护。LMG3651R025 在 LDO5V 引脚上提供 5V LDO 输出，可用于为外部数字隔离器供电。LMG3656R025 包含零电压检测 (ZVD) 功能，可在实现零电压开关时提供来自 ZVD 引脚的脉冲输出。LMG3657R025 包含零电流检测 (ZCD) 功能，可在漏源电流为负时将 ZCD 引脚设置为高电平，并在检测到过零点时转换为低电平。
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 2 设计和开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
评估板
LMG3650EVM-113 — LMG3650R025 子卡
LMG3650R025 评估模块 (EVM) 将两个 LMG3650R025 GaN FET 为半桥拓扑，具有过热保护、逐周期过流保护、锁存短路去饱和保护功能以及用于测试隔离式辅助电源或自举电源所需的所有辅助外设电路。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。
子卡
LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30mΩ 半桥子卡
LMG3422EVM-043 将两个 LMG3422R030 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。
参考设计
PMP41114 — 3.6kW, 54V, single-phase, AC-to-DC rectifier reference design with all GaN switches
This reference design is a digitally controlled 3.6kW, 54V single-phase AC-to-DC rectifier with all GaN switches. This design is a demonstration for modular hardware system common redundant power supply (M-CRPS) with standard form factor. The input stage chooses a single-phase, totem-pole (...)
测试报告: PDF
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| TO-OTHER (KLA) | 9 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点