UCC27423-Q1
- 符合汽车应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
- 器件温度等级 1:–40°C 至 +125℃ 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 业界通用引脚排列
- 每个驱动器的使能功能
- 高电流驱动能力:±4A
- 独特的双极和 CMOS 真正驱动输出级在 MOSFET 米勒阈值提供高电流
- 与 TTL 和 CMOS 兼容的与电源电压无关的输入
- 1.8nF 负载时的上升时间和下降时间典型值分别为 20ns 和 15ns
- 输入下降和上升时的典型传播延迟时间分别为 25ns 和 35ns
- 4V 至 15V 电源电压
- 可以并联双输出以获得更高的驱动电流
- 采用热增强型 MSOP PowerPAD™ 封装
- 额定温度为 -40°C 至 +125°C
UCC2742x-Q1 系列器件是高速双路 MOSFET 驱动器,可向容性负载提供较大的峰值电流。提供两种标准逻辑选项:双反相驱动器和双同相驱动器。它们采用标准 8 引脚 SOIC (D) 封装。热增强型 8 引脚 PowerPAD 封装 MSOP 封装 (DGN) 大大降低了热阻以改善长期可靠性。
通过使用本身能够更大限度减少击穿电流的设计,这些驱动器可在 MOSFET 开关切换期间,在米勒平坦区域提供最需要的 4A 电流。独特的双极和 MOSFET 混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。
UCC2742x-Q1 提供使能 (ENBL) 功能,以更好地控制驱动器应用的运行。在引脚 1 和 8 上实现了 ENBA 和 ENBB,之前这些引脚在业界通用引脚排列中未使用。它们内部上拉至 V DD 电源以实现高电平有效逻辑运行,并且可保持断开连接状态以实现标准运行。
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功能与比较器件相同,但引脚排列有所不同
技术文档
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* | 数据表 | UCC2742x-Q1 具有使能端的双路 4A 高速低侧 MOSFET 驱动器 数据表 (Rev. I) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.I) | PDF | HTML | 2023年 12月 5日 |
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应用手册 | Improving Efficiency of DC-DC Conversion through Layout | 2019年 5月 7日 | ||||
更多文献资料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
更多文献资料 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 | 最新英语版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 | |||
EVM 用户指南 | UCC27423-4-5-Q1 EVM User’s Guide (Rev. A) | 2018年 4月 16日 |
设计和开发
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封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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HVSSOP (DGN) | 8 | Ultra Librarian |
SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
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