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UCC27532-Q1

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具有 8V UVLO、35V VDD 和 CMOS 输入的汽车类 2.5A/5A 单通道栅极驱动器

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Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 32 Features Split Output Operating temperature range (°C) -40 to 140 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 7 Propagation delay time (µs) 0.017 Input threshold CMOS Channel input logic Non-Inverting, Single Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Driver configuration Single input
Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 32 Features Split Output Operating temperature range (°C) -40 to 140 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 7 Propagation delay time (µs) 0.017 Input threshold CMOS Channel input logic Non-Inverting, Single Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Driver configuration Single input
SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度 1 级
  • 低成本栅极驱动器(为驱动 FET 和 IGBT 提供理想解决方案)
  • 分立式晶体管对驱动器的出色替代米6体育平台手机版_好二三四(提供与控制器的简便对接)
  • CMOS 兼容输入逻辑阈值(在 VDD 大于 18V 时变为固定值)
  • 分离输出可实现独立接通和关闭调节
  • 通过固定 TTL 兼容型阈值启用
  • 在 18V VDD 下具有 2.5A 的高峰值驱动拉电流和 5A 的峰值驱动灌电流
  • 从 10V 到高达 35V 的宽 VDD 范围
  • 输入引脚可承受低于接地电压且高达 -5V 的直流电压
  • 当输入悬空时或在 VDD UVLO 期间,输出保持低电平
  • 短暂传播延迟(典型值为 17ns)
  • 快速上升和下降时间(1800pF 负载时的典型值分别为 15ns 和 7ns)
  • 欠压锁定(UVLO)
  • 用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏置和信号隔离设计)
  • 低成本、节省空间的 6 引脚 DBV (SOT-23) 封装
  • 工作温度范围为 –40°C 至 140°C
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
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  • CMOS 兼容输入逻辑阈值(在 VDD 大于 18V 时变为固定值)
  • 分离输出可实现独立接通和关闭调节
  • 通过固定 TTL 兼容型阈值启用
  • 在 18V VDD 下具有 2.5A 的高峰值驱动拉电流和 5A 的峰值驱动灌电流
  • 从 10V 到高达 35V 的宽 VDD 范围
  • 输入引脚可承受低于接地电压且高达 -5V 的直流电压
  • 当输入悬空时或在 VDD UVLO 期间,输出保持低电平
  • 短暂传播延迟(典型值为 17ns)
  • 快速上升和下降时间(1800pF 负载时的典型值分别为 15ns 和 7ns)
  • 欠压锁定(UVLO)
  • 用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏置和信号隔离设计)
  • 低成本、节省空间的 6 引脚 DBV (SOT-23) 封装
  • 工作温度范围为 –40°C 至 140°C

UCC27532-Q1 器件是一款单通道、高速、栅极驱动器,此驱动器可借助于高达 2.5A 拉电流和 5A 灌电流(非对称驱动)峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和 IGBT 电源开关。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒开通效应的能力。UCC27532-Q1 器件还特有一个分离输出配置,在此配置中栅极驱动电流从 OUTH 引脚拉出并从 OUTL 引脚被灌入。这个引脚安排使得用户能够分别在 OUTH 和 OUTL 引脚采用独立的接通和关闭电阻器,并且能很轻易地控制开关的转换率。

此驱动器具有轨到轨驱动功能以及 17ns(典型值)的极小传播延迟。

UCC27532-Q1 器件具有 CMOS 输入阈值,此阈值在 VDD 低于或等于 18V 时介于比 VDD 高 55% 的电压值与比 VDD 低 45% 的电压值范围内。当 VDD 高于 18V 时,输入阈值保持在最大水平上。

此驱动器具有一个 EN 引脚,此引脚有一个固定的 TTL 兼容阈值。EN 被内部上拉;将 EN 下拉为低电平禁用驱动器,而将其保持打开可提供正常运行。EN 引脚可被用作一个额外输入,其性能与 IN 引脚一样。

将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。驱动器的逻辑行为如时序图、输入/输出逻辑真值表和 所示。

VDD 引脚上的内部电路提供一个欠压闭锁功能,此功能在 VDD 电源电压处于运行范围内之前将输出保持为低电平。

UCC27532-Q1 驱动器采用 6 引脚标准 SOT-23 (DBV) 封装。此器件在 -40°C 至 140°C 的宽运行温度范围内运行。

UCC27532-Q1 器件是一款单通道、高速、栅极驱动器,此驱动器可借助于高达 2.5A 拉电流和 5A 灌电流(非对称驱动)峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和 IGBT 电源开关。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒开通效应的能力。UCC27532-Q1 器件还特有一个分离输出配置,在此配置中栅极驱动电流从 OUTH 引脚拉出并从 OUTL 引脚被灌入。这个引脚安排使得用户能够分别在 OUTH 和 OUTL 引脚采用独立的接通和关闭电阻器,并且能很轻易地控制开关的转换率。

此驱动器具有轨到轨驱动功能以及 17ns(典型值)的极小传播延迟。

UCC27532-Q1 器件具有 CMOS 输入阈值,此阈值在 VDD 低于或等于 18V 时介于比 VDD 高 55% 的电压值与比 VDD 低 45% 的电压值范围内。当 VDD 高于 18V 时,输入阈值保持在最大水平上。

此驱动器具有一个 EN 引脚,此引脚有一个固定的 TTL 兼容阈值。EN 被内部上拉;将 EN 下拉为低电平禁用驱动器,而将其保持打开可提供正常运行。EN 引脚可被用作一个额外输入,其性能与 IN 引脚一样。

将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。驱动器的逻辑行为如时序图、输入/输出逻辑真值表和 所示。

VDD 引脚上的内部电路提供一个欠压闭锁功能,此功能在 VDD 电源电压处于运行范围内之前将输出保持为低电平。

UCC27532-Q1 驱动器采用 6 引脚标准 SOT-23 (DBV) 封装。此器件在 -40°C 至 140°C 的宽运行温度范围内运行。

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* 数据表 UCC27532-Q1 2.5A 和 5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单栅极驱动器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2024年 10月 8日
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