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UCC27624

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具有 4V UVLO、30V VDD 和低传播延迟的 5A/5A 双通道栅极驱动器

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Number of channels 2 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 26 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 10 Propagation delay time (µs) 0.017 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Dual, Non-Inverting Input negative voltage (V) -10 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Dual, Non-Inverting
Number of channels 2 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 26 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 10 Propagation delay time (µs) 0.017 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Dual, Non-Inverting Input negative voltage (V) -10 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Dual, Non-Inverting
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 每个通道具有 5A 的典型峰值拉取和灌入驱动电流
  • 输入和使能引脚能够处理 –10V 的电压
  • 输出端能够处理 –2V 的瞬态电压
  • 绝对最大 VDD 电压：30V
  • 宽 VDD 工作电压范围：4.5V 至 26V，具有 UVLO 功能
  • 具有两个独立的栅极驱动通道
  • 针对每个输出提供独立的使能功能
  • 可实现高抗噪性的迟滞逻辑阈值
  • VDD 独立输入阈值（兼容 TTL）
  • 快速传播延迟（典型值为 17ns）
  • 快速上升和下降时间（典型值为 6ns 和 10ns）
  • 两个通道之间的延迟匹配时间典型值为 1 ns
  • 可将两个通道并联以获得更高的驱动电流
  • SOIC8 和 VSSOP8 PowerPAD™ 封装选项
  • 工作结温范围：–40°C 至 150°C
  • 每个通道具有 5A 的典型峰值拉取和灌入驱动电流
  • 输入和使能引脚能够处理 –10V 的电压
  • 输出端能够处理 –2V 的瞬态电压
  • 绝对最大 VDD 电压：30V
  • 宽 VDD 工作电压范围：4.5V 至 26V，具有 UVLO 功能
  • 具有两个独立的栅极驱动通道
  • 针对每个输出提供独立的使能功能
  • 可实现高抗噪性的迟滞逻辑阈值
  • VDD 独立输入阈值（兼容 TTL）
  • 快速传播延迟（典型值为 17ns）
  • 快速上升和下降时间（典型值为 6ns 和 10ns）
  • 两个通道之间的延迟匹配时间典型值为 1 ns
  • 可将两个通道并联以获得更高的驱动电流
  • SOIC8 和 VSSOP8 PowerPAD™ 封装选项
  • 工作结温范围：–40°C 至 150°C

UCC27624 是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。 UCC27624 的典型峰值驱动强度为 5A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为 17ns），可改善系统的死区时间优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。

UCC27624 可在输入端处理 –10V 的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性。输入与电源电压无关，可以连接大多数控制器输出端，从而最大限度地提高控制灵活性。独立的使能信号支持在不依赖主控制逻辑的情况下对功率级进行控制。发生系统故障时，栅极驱动器可以通过拉低使能端来快速关闭。许多高频开关电源在功率器件的栅极都存在噪音，这种噪音会进入栅极驱动器的输出引脚，造成驱动器故障。该器件凭借其瞬态反向电流和反向电压能力，能够承受功率器件或脉冲变压器的栅极噪声，并避免驱动器故障。

UCC27624 还具有欠压锁定 (UVLO) 功能，可提高系统稳健性。当没有足够的偏置电压来全面增强功率器件时，强大的内部下拉 MOSFET 使栅极驱动器输出保持在低电平。

UCC27624 是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。 UCC27624 的典型峰值驱动强度为 5A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为 17ns），可改善系统的死区时间优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。

UCC27624 可在输入端处理 –10V 的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性。输入与电源电压无关，可以连接大多数控制器输出端，从而最大限度地提高控制灵活性。独立的使能信号支持在不依赖主控制逻辑的情况下对功率级进行控制。发生系统故障时，栅极驱动器可以通过拉低使能端来快速关闭。许多高频开关电源在功率器件的栅极都存在噪音，这种噪音会进入栅极驱动器的输出引脚，造成驱动器故障。该器件凭借其瞬态反向电流和反向电压能力，能够承受功率器件或脉冲变压器的栅极噪声，并避免驱动器故障。

UCC27624 还具有欠压锁定 (UVLO) 功能，可提高系统稳健性。当没有足够的偏置电压来全面增强功率器件时，强大的内部下拉 MOSFET 使栅极驱动器输出保持在低电平。
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设计和开发

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评估板

UCC27624DGNEVM — UCC27624 双通道 30V、5A 高速低侧栅极驱动器评估模块

UCC27624 评估模块 (EVM) 设计用于评估 30V、5A 单通道栅极驱动器。此 EVM 旨在根据数据表参数评估驱动器 IC。可针对各种容性和电阻性负载评估驱动器 IC。EVM 可配置为并联驱动器 IC 的通道，实现更高的栅极驱动输出电流。EVM 的配置适用于评估采用 TO-220 封装的功率晶体管。

用户指南: PDF
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评估板

UCC27624EVM — UCC27624 双通道 30V、5A 高速低侧栅极驱动器评估模块

UCC27624 评估模块 (EVM) 设计用于评估 TI 的 30V、5A 单通道栅极驱动器。此 EVM 旨在根据数据表参数评估驱动器 IC。可针对各种容性和电阻性负载评估驱动器 IC。EVM 可配置为并联驱动器 IC 的通道，实现更高的栅极驱动输出电流。EVM 的配置适用于评估采用 TO-220 封装的功率晶体管。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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仿真模型

UCC27624 PSpice Transient Model

SLUM884.ZIP (32 KB) - PSpice Model
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仿真模型

UCC27624 SIMPLIS Model

SLUM795.ZIP (34 KB) - SIMPLIS Model
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计算工具

SLURB18 — UCC27624 Schematic Review Template

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  • 鉴定摘要
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  • 封装厂地点

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