計算ツール
BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR — Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver
Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
DRV8320R
- トリプル・ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
- 3つのハイサイドと3つのローサイドのNチャネルMOSFET（NMOS）を駆動
- スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
- 調整可能なスルー・レート制御
- 10mA～1Aのピーク・ソース電流
- 20mA～2Aのピーク・シンク電流
- ゲート・ドライバ電源を内蔵
- 100%のPWMデューティ・サイクルをサポート
- ハイサイドのチャージ・ポンプ
- ローサイドのリニア・レギュレータ
- 6V～60Vの動作電圧範囲
- 降圧レギュレータ内蔵（オプション）
- LMR16006X SIMPLE SWITCHER®
- 4～60Vの動作電圧範囲
- 0.8～60Vで600mAの出力能力
- トリプル電流センス・アンプ（CSA）内蔵（オプション）
- 可変ゲイン（5、10、20、40V/V）
- 双方向または単方向のサポート
- SPIおよびハードウェア・インターフェイスを利用可能
- 6x、3x、1x、および独立PWMモード
- 1.8V、3.3V、5Vのロジック入力電圧をサポート
- 低消費電力のスリープ・モード（12µA）
- リニア電圧レギュレータ、3.3V、30mA
- 小型で占有面積の小さいQFNパッケージ
- パワー・ブロックによる効率的なシステム設計
- 保護機能を内蔵
- VM低電圧誤動作防止（UVLO）
- チャージ・ポンプ低電圧（CPUV）
- MOSFET過電流保護（OCP）
- ゲート・ドライバ障害（GDF）
- 熱警告およびシャットダウン（OTW/OTSD）
- 障害状況インジケータ（nFAULT）
DRV832xファミリのデバイスは、3相アプリケーション用の統合ゲート・ドライバです。このデバイスには、3つのハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバがあり、それぞれがハイサイドとローサイドのNチャネル・パワーMOSFETを駆動できます。DRV832xは、内蔵のチャージ・ポンプを使用してハイサイドMOSFET用の、リニア・レギュレータを使用してローサイドMOSFET用の、適切なゲート駆動電圧を生成します。スマート・ゲート・ドライブのアーキテクチャは、最大でソース1A、シンク2Aのピーク・ゲート駆動電流をサポートします。DRV832xは単一電源で動作し、ゲート・ドライバについて6～60V、オプションの降圧レギュレータについて4～60Vの広い入力電源電圧に対応します。
6x、3x、1x、および独立入力のPWMモードにより、コントローラの回路と簡単に接続できます。ゲート・ドライバとデバイスの構成設定は、SPIまたはハードウェア（H/W）インターフェイスにより細かく変更可能です。DRV8323およびDRV8323Rデバイスには3つのローサイド電流センス・アンプが内蔵されており、駆動段の3相すべてについて、双方向の電流センシングが可能です。DRV8320RおよびDRV8323Rデバイスには、600mAの降圧レギュレータが内蔵されています。
低消費電力のスリープ・モードがあり、内部回路のほとんどをシャットダウンして、静止電流を低減できます。低電圧誤動作防止、チャージ・ポンプ障害、MOSFET過電流、MOSFET短絡、ゲート・ドライバ障害、過熱への保護機能が内蔵されています。障害状況はnFAULTピンにより通知され、SPI版のデバイスではデバイスのレジスタにより詳細が通知されます。
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VQFN (RHA) | 40 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点