計算ツール
BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR — Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver
Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
DRV8329-Q1
- 65V Three Phase Half-Bridge Gate Driver
- Drives 3 High-Side and 3 Low-Side N-Channel MOSFETs (NMOS)
- 4.5 to 60V Operating Voltage Range
- Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge pump
- Bootstrap based Gate Driver Architecture
- 1000mA Maximum Peak Source Current
- 2000mA Maximum Peak Sink Current
- Integrated Current Sense Amplifier with low input offset (optimized for 1 shunt)
- Adjustable Gain (5, 10, 20, 40V/V)
- Hardware interface provides simple configuration
- Ultra-low power sleep mode <1uA at 25 ̊C
- 4ns (typ) propagation delay matching between phases
- Independent driver shutdown path (DRVOFF)
- 65V tolerant wake pin (nSLEEP)
- Supports negative transients upto -10V on SHx
- 6x and 3x PWM Modes
- Supports 3.3V, and 5V Logic Inputs
- Accurate LDO (AVDD), 3.3V ±3%, 80mA
- Compact QFN Packages and Footprints
- Adjustable VDS overcurrent threshold through VDSLVL pin
- Adjustable deadtime through DT pin
- Efficient System Design With Power Blocks
- Integrated Protection Features
- PVDD Undervoltage Lockout (PVDDUV)
- GVDD Undervoltage (GVDDUV)
- Bootstrap Undervoltage (BST_UV)
- Overcurrent Protection (VDS_OCP, SEN_OCP)
- Thermal Shutdown (OTSD)
- Fault Condition Indicator (nFAULT)
The DRV8329-Q1 family of devices is an integrated gate driver for three-phase applications. The devices provide three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The device generates the correct gate drive voltages using an internal charge pump and enhances the high-side MOSFETs using a bootstrap circuit. A trickle charge pump is included to support 100% duty cycle. The Gate Drive architecture supports peak gate drive currents up to 1A source and 2A sink. The DRV8329-Q1 can operate from a single power supply and supports a wide input supply range of 4.5 to 60V.
The 6x and 3x PWM modes allow for simple interfacing to controller circuits. The device has integrated accurate 3.3V LDO that can be used to power external controller and can be used as reference for CSA. The configuration settings for the device are configurable through hardware (H/W) pins.
The DRV8329-Q1 devices integrate low-side current sense amplifier that allow current sensing for sum of current from all three phases of the drive stage.
A low-power sleep mode is provided to achieve low quiescent current by shutting down most of the internal circuitry. Internal protection functions are provided for undervoltage lockout, GVDD fault, MOSFET overcurrent, MOSFET short circuit, and overtemperature. Fault conditions are indicated on nFAULT pin.
技術資料
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | DRV8329-Q1 4.5 to 60V Three-phase BLDC Gate Driver データシート (Rev. A) | PDF | HTML | 2024年 11月 15日 |
設計および開発
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評価ボード
DRV8329AEVM — DRV8329A 3 相 BLDC ゲート ドライバの評価基板
DRV8329AEVM は、BLDC モーター向けの DRV8329A ゲート・ドライバをベースとする、30A の 3 相ブラシレス DC ドライブ段です。DRV8329 は、ブートストラップ動作向けの 3 個のダイオードを内蔵しており、外部ダイオードは必要ありません。このデバイスは、ローサイド電流測定用の電流シャント・アンプ、80mA LDO、デッドタイム制御ピン、VDS 過電流レベル・ピン、ゲート・シャットオフ・ピンを搭載しています。この評価基板 (EVM) には、これらの設定を評価するためのスイッチ、ポテンショメータ、抵抗が付属しており、DRV8329 デバイスの A バリエーション (...)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VQFN (RGF) | 40 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点