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D タイプ・ラッチ

SN54ACT573

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3 ステート出力、オクタル D タイプ・トランスペアレント・ラッチ

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製品詳細

Number of channels 8 Technology family ACT Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 5.5 Input type TTL-Compatible CMOS Output type 3-State Clock frequency (max) (MHz) 90 IOL (max) (mA) 24 IOH (max) (mA) -24 Supply current (max) (µA) 80 Features Balanced outputs, Flow-through pinout, High speed (tpd 10-50ns), Positive input clamp diode Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Military
Number of channels 8 Technology family ACT Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 5.5 Input type TTL-Compatible CMOS Output type 3-State Clock frequency (max) (MHz) 90 IOL (max) (mA) 24 IOH (max) (mA) -24 Supply current (max) (µA) 80 Features Balanced outputs, Flow-through pinout, High speed (tpd 10-50ns), Positive input clamp diode Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Military
CDIP (J) 20 167.464 mm² 24.2 x 6.92 CFP (W) 20 90.5828 mm² 13.09 x 6.92 LCCC (FK) 20 79.0321 mm² 8.89 x 8.89
  • 4.5V～5.5V の VCC で動作
  • 5.5V までの入力電圧に対応
  • 最大 tpd 9.5ns (5V 時)
  • 入力は TTL 電圧互換
  • 4.5V～5.5V の VCC で動作
  • 5.5V までの入力電圧に対応
  • 最大 tpd 9.5ns (5V 時)
  • 入力は TTL 電圧互換

これらの 8 ビット ラッチは、大きな容量性負荷または比較的低いインピーダンスの負荷の駆動用に設計された 3 ステート出力を備えています。本デバイスは、バッファ レジスタ、I/O ポート、バス ドライバ、およびワーキング レジスタの実装に特に適しています。

これらの 8 ビット ラッチは、大きな容量性負荷または比較的低いインピーダンスの負荷の駆動用に設計された 3 ステート出力を備えています。本デバイスは、バッファ レジスタ、I/O ポート、バス ドライバ、およびワーキング レジスタの実装に特に適しています。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート SNx4ACT573 3 ステート出力、オクタル・トランスペアレント D タイプ・ラッチ データシート (Rev. G 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2024年 3月 6日
* SMD SN54ACT573 SMD 5962-87664 2016年 6月 21日
アプリケーション・ノート Power-Up Behavior of Clocked Devices (Rev. B) PDF | HTML 2022年 12月 15日
アプリケーション・ノート Implications of Slow or Floating CMOS Inputs (Rev. E) 2021年 7月 26日
セレクション・ガイド Logic Guide (Rev. AB) 2017年 6月 12日
アプリケーション・ノート Understanding and Interpreting Standard-Logic Data Sheets (Rev. C) 2015年 12月 2日
セレクション・ガイド ロジック・ガイド (Rev. AA 翻訳版) 最新英語版 (Rev.AB) 2014年 11月 6日
ユーザー・ガイド LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
アプリケーション・ノート Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
アプリケーション・ノート Selecting the Right Level Translation Solution (Rev. A) 2004年 6月 22日
アプリケーション・ノート TI IBIS File Creation, Validation, and Distribution Processes 2002年 8月 29日
アプリケーション・ノート CMOS Power Consumption and CPD Calculation (Rev. B) 1997年 6月 1日
アプリケーション・ノート Designing With Logic (Rev. C) 1997年 6月 1日
アプリケーション・ノート Using High Speed CMOS and Advanced CMOS in Systems With Multiple Vcc 1996年 4月 1日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
CDIP (J) 20 Ultra Librarian
CFP (W) 20 Ultra Librarian
LCCC (FK) 20 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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