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SN74LVC1T45

アクティブ

構成可能なレベル シフト機能搭載、3 ステート出力、シングル ビット、デュアル電源バス トランシーバ

製品詳細

Technology family LVC Applications GPIO Bits (#) 1 High input voltage (min) (V) 1.08 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 5.5 Data rate (max) (Mbps) 300 IOH (max) (mA) -32 IOL (max) (mA) 32 Supply current (max) (µA) 4 Features Overvoltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type Balanced CMOS, Push-Pull Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family LVC Applications GPIO Bits (#) 1 High input voltage (min) (V) 1.08 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 5.5 Data rate (max) (Mbps) 300 IOH (max) (mA) -32 IOL (max) (mA) 32 Supply current (max) (µA) 4 Features Overvoltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type Balanced CMOS, Push-Pull Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
DSBGA (YZP) 6 2.1875 mm² 1.75 x 1.25 SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8 SOT-5X3 (DRL) 6 2.56 mm² 1.6 x 1.6 SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² 2 x 2.1 USON (DPK) 6 2.56 mm² 1.6 x 1.6
  • JESD 22 を上回る ESD 保護:
    • 2000V、人体モデル (A114-A)
    • 200V、マシン モデル(A115-A)
    • 1000V、デバイス帯電モデル (C101)
  • テキサス・インスツルメンツの NanoFree™ パッケージで供給
  • 完全に構成可能なデュアル レール設計により、1.65V~5.5V の電源電圧の全範囲にわたって各ポートが動作可能
  • VCC 絶縁機能:いずれかの VCC 入力が GND レベルになると、両方のポートがハイ インピーダンス状態に移行
  • VCCA を基準とする DIR 入力回路
  • 低い消費電力、ICC 最大値 4µA
  • 3.3V で ±24mA の出力駆動能力
  • Ioff により部分的パワーダウン モードでの動作をサポート
  • 最大データ レート
    • 420Mbps (3.3V から 5V への変換)
    • 210Mbps (3.3V への変換)
    • 140Mbps (2.5V への変換)
    • 75Mbps (1.8V への変換)
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を上回る ESD 保護:
    • 2000V、人体モデル (A114-A)
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  • テキサス・インスツルメンツの NanoFree™ パッケージで供給
  • 完全に構成可能なデュアル レール設計により、1.65V~5.5V の電源電圧の全範囲にわたって各ポートが動作可能
  • VCC 絶縁機能:いずれかの VCC 入力が GND レベルになると、両方のポートがハイ インピーダンス状態に移行
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  • 低い消費電力、ICC 最大値 4µA
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  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能

この 1 ビット非反転バス トランシーバは、設定可能な 2 本の独立した電源レールを使用します。A ポートは VCCA に追従するように設計されています。VCCA ピンには、1.65V~5.5V の電源電圧を入力できます。B ポートは、VCCB に追従する設計になっています。VCCB ピンには、1.65V~5.5V の電源電圧を入力できます。これにより、1.8V、2.5V、3.3V、5V の任意の電圧ノード間での低電圧双方向変換が可能です。

SN74LVC1T45 は、2 つのデータ バス間の非同期通信用に設計されています。方向制御 (DIR) 入力のロジック レベルにより、B ポート出力と A ポート出力のどちらかがアクティブになります。本デバイスは、B ポート出力をアクティブにした場合、A バスから B バスにデータを送信し、A ポート出力をアクティブにした場合、B バスから A バスにデータを送信します。A ポートと B ポートの両方の入力回路は常にアクティブであるため、ICC と ICCZ が過剰に流れないようにロジック High または Low レベルを印加する必要があります。

SN74LVC1T45 は、DIR 入力が V‌CCA によって給電されるように設計されています。このデバイスは、Ioff を使用する部分的パワーダウン アプリケーション用の動作が完全に規定されています。Ioff 回路で出力をディセーブルすることにより、電源切断時にデバイスに電流が逆流して損傷するのを回避できます。VCC 絶縁機能は、いずれかの VCC 入力が GND レベルになると、両方のポートがハイ インピーダンス状態になるよう設計されています。

ダイをパッケージとして使用する NanoFree™ パッケージ技術は、IC パッケージの概念を大きく覆すものです。

この 1 ビット非反転バス トランシーバは、設定可能な 2 本の独立した電源レールを使用します。A ポートは VCCA に追従するように設計されています。VCCA ピンには、1.65V~5.5V の電源電圧を入力できます。B ポートは、VCCB に追従する設計になっています。VCCB ピンには、1.65V~5.5V の電源電圧を入力できます。これにより、1.8V、2.5V、3.3V、5V の任意の電圧ノード間での低電圧双方向変換が可能です。

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SN74LVC1T45 は、DIR 入力が V‌CCA によって給電されるように設計されています。このデバイスは、Ioff を使用する部分的パワーダウン アプリケーション用の動作が完全に規定されています。Ioff 回路で出力をディセーブルすることにより、電源切断時にデバイスに電流が逆流して損傷するのを回避できます。VCC 絶縁機能は、いずれかの VCC 入力が GND レベルになると、両方のポートがハイ インピーダンス状態になるよう設計されています。

ダイをパッケージとして使用する NanoFree™ パッケージ技術は、IC パッケージの概念を大きく覆すものです。

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技術資料

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アプリケーション・ノート LVC Characterization Information 1996年 12月 1日
アプリケーション・ノート Input and Output Characteristics of Digital Integrated Circuits 1996年 10月 1日
アプリケーション・ノート Live Insertion 1996年 10月 1日
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アプリケーション・ノート Understanding Advanced Bus-Interface Products Design Guide 1996年 5月 1日

設計および開発

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シミュレーション・モデル

HSPICE MODEL OF SN74LVC1T45

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シミュレーション・モデル

SN74LVC1T45 IBIS Model (Rev. C)

SCEM401C.ZIP (99 KB) - IBIS Model
シミュレーション・モデル

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SCEM545A.TSC (23812 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル

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SCEM546A.ZIP (7 KB) - TINA-TI Spice Model
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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
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SOT-23 (DBV) 6 Ultra Librarian
SOT-5X3 (DRL) 6 Ultra Librarian
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian
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購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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