TPS735
- 入力電圧: 2.7V～6.5V
- ENを備えた500mA低ドロップアウト・レギュレータ
- 低いIQ: 45µA
- 複数の出力電圧バージョンを利用可能:
- 1.2V～4.3Vの固定出力
- 1.25V～6Vの可変出力
- 高いPSRR: 1kHzにおいて68dB
- 低ノイズ: 13.2µVRMS
- 短いスタートアップ時間: 45µs
- セラミック、2.2µF、低ESRの出力コンデンサで安定
- 非常に優れた負荷/ライン過渡応答
- 総合精度2% (負荷、ライン、および温度、VOUT > 2.2V)
- 非常に低いドロップアウト: 500mAにおいて280mV
- 2mm×2mmのWSON-6および
3mm×3mmのSON-8パッケージ
TPS735低ドロップアウト(LDO)低消費電力リニア・レギュレータは、極めて低いグランド電流で優れたAC性能を提供します。高い電源除去比(PSRR)、低ノイズ、高速スタートアップ、優れたライン/負荷過渡応答を実現しながら、消費するグランド電流はわずか45µA (標準値)です。
TPS735デバイスはセラミック･コンデンサで安定動作し、先進のBiCMOS製造プロセスを使用しているため、500mA出力で標準280mVのドロップアウト電圧を実現しています。TPS735デバイスは、高性能な電圧リファレンスと帰還ループにより、すべての負荷、ライン、製造プロセス、および温度変化に対して2% (VOUT > 2.2V)の総合精度を達成できます。このデバイスはTJ = -40℃～+125℃で完全に動作が規定されており、薄型の3mm×3mm SON-8パッケージおよび2mm×2mm WSON-6パッケージで供給されます。
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技術資料
| 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TPS735 500mA、低静止電流、低ノイズ、高PSRR、低ドロップアウトのリニア・レギュレータ データシート (Rev. M 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.M) | PDF | HTML | 2018年 7月 12日 |
| アプリケーション・ノート | LDO Noise Demystified (Rev. B) | PDF | HTML | 2020年 8月 18日 | |||
| アプリケーション・ノート | A Topical Index of TI LDO Application Notes (Rev. F) | 2019年 6月 27日 | ||||
| アプリケーション・ノート | LDO PSRR Measurement Simplified (Rev. A) | PDF | HTML | 2017年 8月 9日 | |||
| アプリケーション・ノート | LDO Performance Near Dropout | 2010年 10月 8日 | ||||
| Analog Design Journal | Taming linear-regulator inrush currents | 2009年 5月 1日 | ||||
| EVM ユーザー ガイド (英語) | TPS73525EVM-276 (Rev. A) | 2008年 11月 18日 |
設計および開発
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このデバイスは 4.5V ～ 65V の電源電圧範囲で動作します。フルスケール電流は最大 10A であり、複数を並列接続すると、20A の電流を駆動できます。
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多くの TI リファレンス デザインには、TPS735 があります。
TI のリファレンス デザイン セレクション ツールを使用すると、開発中のアプリケーションやパラメータとの適合度が最も高いデザインの確認と特定を進めることができます。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VSON (DRB) | 8 | Ultra Librarian |
| WSON (DRV) | 6 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。