ホーム パワー・マネージメント リニア・レギュレータと低ドロップアウト (LDO) レギュレータ

TPS737-Q1

アクティブ

車載、逆電流保護機能とイネーブル搭載、1A、超低ドロップアウト電圧レギュレータ

製品詳細

Output options Fixed Output Iout (max) (A) 1 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 2.2 Vout (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.9 Fixed output options (V) 1.9, 3.3 Rating Automotive Noise (µVrms) 51 PSRR at 100 KHz (dB) 32 Iq (typ) (mA) 0.4 Thermal resistance θJA (°C/W) 52 Load capacitance (min) (µF) 1 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Reverse Current Protection Accuracy (%) 3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 130 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Output options Fixed Output Iout (max) (A) 1 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 2.2 Vout (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.9 Fixed output options (V) 1.9, 3.3 Rating Automotive Noise (µVrms) 51 PSRR at 100 KHz (dB) 32 Iq (typ) (mA) 0.4 Thermal resistance θJA (°C/W) 52 Load capacitance (min) (µF) 1 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Reverse Current Protection Accuracy (%) 3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 130 Operating temperature range (°C) -40 to 125
VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3
  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容で AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度範囲 -40℃~125℃
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4A
  • 1µF 以上のセラミック出力コンデンサで安定
  • 入力電圧範囲:2.2V~5.5V
  • 非常に低いドロップアウト電圧:1A で 130mV (標準値)
  • 1µF の出力コンデンサだけでも非常に優れた負荷過渡応答
  • NMOS トポロジにより、低い逆リーク電流を実現
  • 1% の初期精度
  • ライン、負荷、温度の全範囲にわたって 3% の総合精度
  • シャットダウン・モードでの静止電流:20nA 未満 (標準値)
  • サーマル・シャットダウンおよび電流制限によるフォルト保護
  • 複数の出力電圧バージョンで供給
  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容で AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度範囲 -40℃~125℃
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4A
  • 1µF 以上のセラミック出力コンデンサで安定
  • 入力電圧範囲:2.2V~5.5V
  • 非常に低いドロップアウト電圧:1A で 130mV (標準値)
  • 1µF の出力コンデンサだけでも非常に優れた負荷過渡応答
  • NMOS トポロジにより、低い逆リーク電流を実現
  • 1% の初期精度
  • ライン、負荷、温度の全範囲にわたって 3% の総合精度
  • シャットダウン・モードでの静止電流:20nA 未満 (標準値)
  • サーマル・シャットダウンおよび電流制限によるフォルト保護
  • 複数の出力電圧バージョンで供給

TPS737xx-Q1 ファミリのリニア低ドロップアウト (LDO) 電圧レギュレータは NMOS パス素子を電圧フォロワ構成で使用しています。このトポロジは出力コンデンサの値と ESR の影響を比較的受けにくいため、広範な負荷構成に対応できます。小さな 1µF のセラミック出力コンデンサを使用した場合でも、負荷過渡応答が非常に優れています。NMOS トポロジを使用すると、ドロップアウトも大幅に低減できます。

TPS737xx-Q1 ファミリは、非常に小さいドロップアウト電圧と小さなグランド・ピン電流を実現すると同時に、先進の BiCMOS プロセスを使用することで高い精度を達成しています。待機時の消費電流は 20nA 未満であり、携帯型アプリケーションに理想的です。これらのデバイスは、サーマル・シャットダウンとフォールドバック電流制限で保護されています。






TPS737xx-Q1 ファミリのリニア低ドロップアウト (LDO) 電圧レギュレータは NMOS パス素子を電圧フォロワ構成で使用しています。このトポロジは出力コンデンサの値と ESR の影響を比較的受けにくいため、広範な負荷構成に対応できます。小さな 1µF のセラミック出力コンデンサを使用した場合でも、負荷過渡応答が非常に優れています。NMOS トポロジを使用すると、ドロップアウトも大幅に低減できます。

TPS737xx-Q1 ファミリは、非常に小さいドロップアウト電圧と小さなグランド・ピン電流を実現すると同時に、先進の BiCMOS プロセスを使用することで高い精度を達成しています。待機時の消費電流は 20nA 未満であり、携帯型アプリケーションに理想的です。これらのデバイスは、サーマル・シャットダウンとフォールドバック電流制限で保護されています。






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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS737-Q1 逆電流保護を搭載した 1A の低ドロップアウト・レギュレータ データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2019年 11月 14日
アプリケーション・ノート LDO Noise Demystified (Rev. B) PDF | HTML 2020年 8月 18日
アプリケーション・ノート LDO PSRR Measurement Simplified (Rev. A) PDF | HTML 2017年 8月 9日

設計および開発

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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VSON (DRB) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

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