データシート
TXS0102V-Q1
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車載アプリケーション認定済み
- 以下の結果で AEC-Q100 認定済み:
- デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度範囲 -40℃~125℃
- デバイス HBM ESD 分類レベル 2
- デバイス CDM ESD 分類レベル C5
- JESD 22 に準拠した ESD 保護:
- A ポート:
- 2000V、人体モデル (A114-B)
- 500V、デバイス帯電モデル (C101)
- B ポート:
- 5000V、人体モデル (A114-B)
- 500V、デバイス帯電モデル (C101)
- A ポート:
- 方向制御信号不要
- 最大データ レート:
- 24Mbps (プッシュプル)
- 2Mbps (オープン ドレイン)
- テキサス・インスツルメンツの NanoStar™ 集積回路パッケージで提供
- 1.65V~3.6V (A ポート)、2.3V~5.5V (B ポート) (VCCA ≤ VCCB)
- VCC 絶縁機能:いずれかの VCC 入力が GND レベルになると、両方のポートが高インピーダンス状態に移行
- 電源投入のシーケンス不要:VCCA または VCCB のいずれかが最初に立ち上げ可能
- Ioff により部分的パワーダウン モードでの動作をサポート
- JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
この2ビット非反転トランスレータは、双方向の電圧レベル トランスレータであり、これを使用してデジタル スイッチングを確立することにより、動作電圧が混在するシステムへの対応が可能になります。設定可能な 2 本の独立した電源レールを採用しており、1.65V~3.6V の動作電圧に対応する A ポートは VCCA 電源に追従し、2.3V~5.5V の動作電圧に対応する B ポートは VCCB 電源に追従します。このため高低いずれのロジック信号レベルにも対応し、1.8V、2.5V、3.3V、5V の任意の電圧ノード間で双方向変換が可能になります。
出力イネーブル(OE)入力をLowにすると、全I/Oがハイ インピーダンス状態になるため、電源の静止電流を大幅に削減できます。
電源投入時または切断時にデバイスをハイ インピーダンス状態にするには、OE をプルダウン抵抗で GND につなぐ必要があります。この抵抗の最小値は、ドライバの電流ソース能力によって決まります。
技術資料
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* | データシート | TXS0102V-Q1 オープン ドレインおよびプッシュプル アプリケーション向け 車載用 2 ビット双方向レベルシフト電圧トランスレータ データシート (Rev. A 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2024年 9月 30日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
評価ボード
5-8-LOGIC-EVM — 5 ~ 8 ピンの DCK、DCT、DCU、DRL、DBV の各パッケージをサポートする汎用ロジックの評価基板 (EVM)
5 ~ 8 ピンで DCK、DCT、DCU、DRL、DBV の各パッケージを使用する多様なデバイスをサポートできる設計のフレキシブルな評価基板です。
ユーザー ガイド: PDF
多くの TI リファレンス デザインには、TXS0102V-Q1 があります。
TI のリファレンス デザイン セレクション ツールを使用すると、開発中のアプリケーションやパラメータとの適合度が最も高いデザインの確認と特定を進めることができます。
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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VSSOP (DCU) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点