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UCC21736-Q1

生産中止品

車載対応、アクティブ短絡保護機能搭載、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、±10A、絶縁型シングルチャネル ゲート ドライバ

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UCC21736-Q1 は生産中止品です。
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open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスのアップグレード版機能を搭載した、ドロップイン代替製品
UCC21737-Q1 アクティブ 車載、SiC/IGBT 向け、短絡のアクティブ保護機能搭載、10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ Automotive 10-A source and sink reinforced isolated single-channel
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品
UCC21759-Q1 アクティブ 車載対応、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、3.0kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ Basic isolation, internal Miller clamp, DESAT protection, has no active short circuit or integrated analog-to-PWM sensor

UCC21736-Q1

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製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V
  • ±10A の駆動強度と分割出力
  • CMTI：150V/ns 以上
  • 200ns の応答時間による高速な過電流保護
  • 外部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 900mA ソフト・ターンオフ
  • システム・フォルト時にパワー・スイッチをオンにするための絶縁側 ASC 入力
  • 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル/ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO と -3V VEE UVLO (RDY のパワー・グッド付き)
  • 最大 5V のオーバー/アンダー・シュート過渡電圧に耐える入力/出力
  • 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス/部品スキュー：30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：–40℃～150℃
  • 5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V
  • ±10A の駆動強度と分割出力
  • CMTI：150V/ns 以上
  • 200ns の応答時間による高速な過電流保護
  • 外部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 900mA ソフト・ターンオフ
  • システム・フォルト時にパワー・スイッチをオンにするための絶縁側 ASC 入力
  • 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル/ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO と -3V VEE UVLO (RDY のパワー・グッド付き)
  • 最大 5V のオーバー/アンダー・シュート過渡電圧に耐える入力/出力
  • 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス/部品スキュー：30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：–40℃～150℃

UCC21736-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。UCC21736-Q1 は最大 ±10A のピーク・ソース/シンク電流を供給できます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、耐用年数 40 年超の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備える一方、部品間スキューが小さく、150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21736-Q1 は、高速過電流/短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入出力側電源 UVLO といった最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。ASC 機能を使用してシステム障害発生時にパワー・スイッチを強制的にオンにできるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システム設計、サイズ、コストを簡素化できます。

UCC21736-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。UCC21736-Q1 は最大 ±10A のピーク・ソース/シンク電流を供給できます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、耐用年数 40 年超の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備える一方、部品間スキューが小さく、150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21736-Q1 は、高速過電流/短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入出力側電源 UVLO といった最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。ASC 機能を使用してシステム障害発生時にパワー・スイッチを強制的にオンにできるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システム設計、サイズ、コストを簡素化できます。
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* データシート UCC21736-Q1 アクティブ保護機能搭載、高 CMTI、10A ソース/シンク、強化絶縁型シングル・チャネル SiC/IGBT ゲート・ドライバ データシート PDF | HTML 最新英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2019年 10月 10日

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点