UCC28C52-Q1
- Si および SiC の両方の MOSFET アプリケーションをサポートする低電圧誤動作防止オプション
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VDD の絶対最大定格電圧:30V
- 最大固定周波数動作:1MHz
- スタートアップ電流:50µA、最大 75µA
- 小さい動作電流:1.3mA (f OSC = 52kHz 時)
- 高い動作時 T J:最大 150℃
- 高速な 35ns のサイクルごとの過電流制限
- ±1A のピーク駆動電流
- レール・ツー・レール出力
- 25ns の立ち上がり時間
- 20ns の立ち下がり時間
- ±1% の精度、2.5V のエラー・アンプ基準電圧
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UCC28C4x-Q1 のピン互換およびドロップイン代替品
- 機能安全対応
- 機能安全システムの設計に役立つ資料を利用可能
- 下記内容で AEC-Q100 認定済み
- デバイス温度グレード 1:-40℃~125℃
- デバイス HBM 分類レベル 2:±2kV
- デバイス CDM 分類レベル C4B:750V
UCC28C5x-Q1 ファミリのデバイスは高性能の電流モード PWM コントローラであり、さまざまなアプリケーションで Si と SiC 両方の MOSFET を駆動するのに使用できます。UCC28C5x-Q1 ファミリは、UCC28C4x-Q1 の効率と堅牢性を向上したバージョンです。
UCC28C5x-Q1 ファミリは、Si MOSFET を引き続きサポートするための既存の UVLO スレッショルド (UCC28C50-55-Q1) に加えて、SiC MOSFET を確実に動作させることができる新しい UVLO スレッショルド (UCC28C56-59-Q1) を備えています。
VDD の絶対最大定格電圧は 20V から 30V に拡張されており、20Vgs、18Vgs、または 15Vgs の SiC MOSFET ゲートを最適に駆動すると共に、外部の LDO は不要となります。
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技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | UCC28C5x-Q1 車載用、低消費電力、高性能な電流モード PWM コントローラ、Si および SiC MOSFET 用 データシート (Rev. C 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 3月 31日 |
ホワイト・ペーパー | Isolated Bias Power Supply Architecture for HEV and EV Traction Inverters | PDF | HTML | 2023年 10月 11日 | |||
ユーザー・ガイド | Using the UCC28C56EVM-066 (Rev. C) | PDF | HTML | 2022年 12月 7日 | |||
機能安全情報 | UCC28C5x-Q1 Funcitonal safety FIT rate, FMD, and pin FMA | PDF | HTML | 2022年 9月 12日 | |||
アプリケーション・ノート | High Density Auxiliary Power Supply Using a SiC MOSFET for 800-V Traction Invert | PDF | HTML | 2022年 7月 6日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点