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氮化镓 (GaN) 功率级

LMG2610

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具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥

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LMG2610

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VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 5.4 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 5.4 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RRG) 40 63 mm² 9 x 7
  • 650V GaN 功率 FET 半桥
  • 170mΩ 低侧和 248mΩ 高侧 GaN FET
  • 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 低侧/高侧栅极驱动互锁
  • 高侧栅极驱动信号电平转换器
  • 智能开关自举二极管功能
  • 高侧启动：< 8us
  • 低侧/高侧逐周期过流保护
  • 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
  • AUX 空闲静态电流：240µA
  • AUX 待机静态电流：50µA
  • BST 空闲静态电流：60µA
  • 最大电源和输入逻辑引脚电压：26V
  • 具有双散热焊盘的 9mm x 7mm QFN 封装
  • 650V GaN 功率 FET 半桥
  • 170mΩ 低侧和 248mΩ 高侧 GaN FET
  • 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 低侧/高侧栅极驱动互锁
  • 高侧栅极驱动信号电平转换器
  • 智能开关自举二极管功能
  • 高侧启动：< 8us
  • 低侧/高侧逐周期过流保护
  • 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
  • AUX 空闲静态电流：240µA
  • AUX 待机静态电流：50µA
  • BST 空闲静态电流：60µA
  • 最大电源和输入逻辑引脚电压：26V
  • 具有双散热焊盘的 9mm x 7mm QFN 封装

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥，适用于 开关模式电源应用中 < 75W 的有源钳位反激式 (ACF) 转换器。LMG2610 通过在 9mm x 7mm QFN 封装中 集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧 栅极驱动电平转换器，简化了设计、减少了元件数量并 减小了布板空间。

非对称 GaN FET 电阻针对 ACF 工作条件进行了优 化。可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。与传 统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功 耗，并允许将低侧散热焊盘连接到冷却 PCB 电源接 地。

高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出 现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自 举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充， 并且反向恢复电荷为零。

LMG2610 具有低静态电流和快速启动时间，支持转换 器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和 过热关断。

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥，适用于 开关模式电源应用中 < 75W 的有源钳位反激式 (ACF) 转换器。LMG2610 通过在 9mm x 7mm QFN 封装中 集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧 栅极驱动电平转换器，简化了设计、减少了元件数量并 减小了布板空间。

非对称 GaN FET 电阻针对 ACF 工作条件进行了优 化。可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。与传 统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功 耗，并允许将低侧散热焊盘连接到冷却 PCB 电源接 地。

高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出 现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自 举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充， 并且反向恢复电荷为零。

LMG2610 具有低静态电流和快速启动时间，支持转换 器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和 过热关断。
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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LMG2610 用于有源钳位反激式转换器的集成 650V GaN 半桥 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 12月 12日
应用手册 通过使用集成 GaN 技术实现小尺寸交流/直流适配器 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 3月 28日
EVM 用户指南 使用 UCC28782EVM-030 65W USB-C PD 高密度有源钳位反 激式转换器 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2022年 10月 25日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC28782EVM-030 — UCC28782 有源钳位反激式转换器 65W USB-C PD EVM，具有 LMG2610 集成式 GaN 半桥

UCC28782EVM-030 采用了 UCC28782 有源钳位反激式控制器，具有高效率和高密度等特性，可适用于 65W USB Type-C™ 电力输送 (PD) 离线适配器。该输入支持 90Vac 至 264Vac 通用电压范围，电流最大值为 3A 时，单输出可设置为 5V、9V 和 15V，最大值为 3.25A 时，可设置为 20V，此设置可通过 USB PD 接口控制器进行调整。标称 250kHz 高频运行模式可实现小解决方案尺寸，而多模式运行可保持高效率。LMG2610 集成了高侧和低侧 (...)

用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.C): PDF | HTML
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仿真模型

LMG2610 SIMPLIS Model

SNOM766.ZIP (304 KB) - SIMPLIS Model
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计算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
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氮化镓 (GaN) 功率级
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级 LMG2100R044 — 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET LMG2610 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥 LMG2650 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、95mΩ GaN 半桥 LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半桥功率级
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计算工具

SNOR036 — LMG2610 Active-Clamp Flyback Power Stage Design Calculator

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氮化镓 (GaN) 功率级
LMG2610 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥
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参考设计

TIDA-050074 — 基于 GaN 的 140W USB PD3.1 USB-C® 适配器参考设计

此参考设计是一款基于氮化镓 (GaN)、具有高效率和高功率密度的 140W 交流/直流电源。它支持宽输入电压（90VAC 至 264VAC）和输出电压（5V 至 28V），专为以下应用而设计：用于 USB PD3.1 的适配器设计，以及电动工具充电器。
设计指南: PDF
参考设计

PMP23146 — 适用于服务器辅助电源且采用 GaN 的 45W 高功率密度有源钳位反激式参考设计

这是基于 GaN 的 45W 有源钳位反激式 (ACF) 参考设计，旨在实现更高的功率密度。此电源旨在为服务器和电信电源单元 (PSU) 提供辅助电源。UCC28782 ACF 控制器和 LMG2610 GaN 半桥用于使用 UCC24612 驱动具有同步整流功能的平面变压器。该辅助电源旨在使用 PFC 总线电压作为输入电压来运行，并生成能够提供 3.7A 电流的隔离式 12V 输出和能够提供高达 400mA 电流的非隔离式 18V 输出。主隔离式 12V 输出受 TPS74800 ORing 控制器保护。多个 PMP23146 (...)
测试报告: PDF
参考设计

PMP22244 — 具有 GaN 参考设计的 60W USB Type-C® 高密度有源钳位反激式控制器

此参考设计是一款高密度 60W 115VAC 输入电源，适用于使用 UCC28782 有源钳位反激式控制器、LMG2610 集成式 GaN 半桥和 UCC24612 同步整流器驱动器的 USB Type-C 应用。20V 或 15V 输出时的最大额定功率为 60W，9V 输出时为 54W，5V 输出时为 30W。此设计的峰值效率为 94.8%。该设计的尺寸为 1.5 英寸 x 3.35 英寸 x 1 英寸（37.5 毫米 x 85 毫米 x 25 毫米）。
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (RRG) 40 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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