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理想二极管/ORing 控制器

LM74502-Q1

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汽车类反极性保护控制器，过压保护，栅极驱动强度 60μA

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LM74502-Q1

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Vin (min) (V) 3.2 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Enable, Inrush current control, Overvoltage protection, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.06 Iq (max) (mA) 0.11 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External single FET IGate source (typ) (µA) 60 IGate source (max) (µA) 77 IGate sink (typ) (mA) 2370 IGate pulsed (typ) (A) 2.37 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 100 Design support EVM Rating Automotive Imax (A) 250 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Device type Reverse polarity protector Product type Reverse polarity protector
Vin (min) (V) 3.2 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Enable, Inrush current control, Overvoltage protection, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.06 Iq (max) (mA) 0.11 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External single FET IGate source (typ) (µA) 60 IGate source (max) (µA) 77 IGate sink (typ) (mA) 2370 IGate pulsed (typ) (A) 2.37 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 100 Design support EVM Rating Automotive Imax (A) 250 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Device type Reverse polarity protector Product type Reverse polarity protector
SOT-23-THN (DDF) 8 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
  • -65V 输入反向电压额定值
  • 集成电荷泵用于驱动
    • 外部背对背 N 沟道 MOSFET

    • 外部高侧开关 MOSFET

    • 外部反极性保护 MOSFET

  • 栅极驱动器型号

    • LM74502-Q1：60µA 峰值栅极驱动拉电流能力

    • LM74502H-Q1：11mA 峰值栅极驱动拉电流能力

  • 2A 峰值栅极灌电流能力

  • 1µA 关断电流（EN/UVLO = 低电平）

  • 45µA 典型工作静态电流（EN/UVLO = 高电平）

  • 可调节过压和欠压保护

  • 采用额外的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 脉冲 1 瞬态要求
  • 采用 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
  • -65V 输入反向电压额定值
  • 集成电荷泵用于驱动
    • 外部背对背 N 沟道 MOSFET

    • 外部高侧开关 MOSFET

    • 外部反极性保护 MOSFET

  • 栅极驱动器型号

    • LM74502-Q1：60µA 峰值栅极驱动拉电流能力

    • LM74502H-Q1：11mA 峰值栅极驱动拉电流能力

  • 2A 峰值栅极灌电流能力

  • 1µA 关断电流（EN/UVLO = 低电平）

  • 45µA 典型工作静态电流（EN/UVLO = 高电平）

  • 可调节过压和欠压保护

  • 采用额外的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 脉冲 1 瞬态要求
  • 采用 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm

LM74502-Q1、LM74502H-Q1 是符合汽车 AEC-Q100 标准的控制器，与外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET 配合工作，可实现低损耗反极性保护和负载断开解决方案。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如：12V、24V 和 48V 汽车电池系统）的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。LM74502-Q1、LM74502H-Q1 没有反向电流阻断功能，适用于对有可能将能量传输回输入电源的负载（如汽车车身控制模块电机负载）提供输入反极性保护。

LM74502-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74502-Q1 的高电压额定值有助于简化满足 ISO7637 汽车保护测试标准的系统设计。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1µA 的电流，从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502-Q1 具有可编程的过压和欠压保护功能，可在发生这些故障时将负载从输入源切断。

LM74502-Q1、LM74502H-Q1 是符合汽车 AEC-Q100 标准的控制器，与外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET 配合工作，可实现低损耗反极性保护和负载断开解决方案。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如：12V、24V 和 48V 汽车电池系统）的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。LM74502-Q1、LM74502H-Q1 没有反向电流阻断功能，适用于对有可能将能量传输回输入电源的负载（如汽车车身控制模块电机负载）提供输入反极性保护。

LM74502-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74502-Q1 的高电压额定值有助于简化满足 ISO7637 汽车保护测试标准的系统设计。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1µA 的电流，从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502-Q1 具有可编程的过压和欠压保护功能，可在发生这些故障时将负载从输入源切断。
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证书 LM74502Q1EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2021年 12月 9日

设计和开发

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评估板

LM74502Q1EVM — 适用于 LM74502-Q1 和 LM74502H-Q1 理想二极管控制器的评估模块

LM74502Q1EVM 评估模块用于评估具有开关输出的理想二极管控制器 LM74502-Q1 和 LM74502H-Q1 的性能。LM74502-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而对具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器进行仿真。

用户指南: PDF | HTML
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FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup

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