LM74502H
- 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
- -65V 输入反向电压额定值
- 集成电荷泵用于驱动
- 外部背对背 N 沟道 MOSFET
-
外部高侧开关 MOSFET
-
外部反极性保护 MOSFET
- 栅极驱动器型号
- LM74502:60µA 峰值栅极驱动拉电流能力
- LM74502H:11mA 峰值栅极驱动拉电流能力
- 2.3A 峰值栅极灌电流能力
- 使能引脚特性
- 45µA 典型工作静态电流(EN/UVLO = 高电平)
- 1µA 关断电流(EN/UVLO = 低电平)
- 可调节过压和欠压保护
- –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 采用 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm
LM74502/LM74502H 控制器与外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET 配合工作,可实现低损耗反极性保护和负载断开的解决方案。该器件也可以配置为具有过压保护功能的负载开关,用于驱动高侧 MOSFET。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压(例如,12V、24V 和 48V 输入系统)的控制。该器件可以承受并保护负载免受低至 -65V 的负电源电压的影响。LM74502/LM74502H 没有反向电流阻断功能,仅适用于进行输入反极性保护。
LM74502 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动。当使能引脚处于低电平时,控制器关闭,消耗大约 1µA 的电流,从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502 和 LM74502H 还具有可编程的过压和欠压保护功能,可在发生故障时将负载从输入源切断。这些器件采用 2.9mm × 1.6mm 8 引脚 DDF 封装,额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。
技术文档
类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | LM74502,LM74502H 具有反极性保护和过压保护功能的低 IQ 高侧开关控制器 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 |
应用简报 | Three Ways to Use High Side Switch Driver Using LM74502 | PDF | HTML | 2021年 12月 20日 |
设计和开发
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LM74502EVM — LM74502 和 LM74502H 理想二极管控制器评估模块
LM74502EVM 是一款评估模块,用于评估具有开关输出的理想二极管控制器 LM74502 和 LM74502H 的性能。LM74502 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而对具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器进行仿真。
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封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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SOT-23-THN (DDF) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
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