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氮化镓 (GaN) 功率级

LMG3422R050

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具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET

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LMG3422R050

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米6体育平台手机版_好二三四详情

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
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VQFN (RQZ) 54 144 mm² 12 x 12
  • 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
  • 带集成栅极驱动器的 600-V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns CMTI
    • 3.6MHz 开关频率
    • 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
    • 在 7.5V 至 18V 电源下工作
  • 强大的保护
    • 响应时间少于 100 ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
    • 理想二极管模式可减少 LMG3425R050 中的第三象限损耗
  • 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
  • 带集成栅极驱动器的 600-V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns CMTI
    • 3.6MHz 开关频率
    • 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
    • 在 7.5V 至 18V 电源下工作
  • 强大的保护
    • 响应时间少于 100 ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
    • 理想二极管模式可减少 LMG3425R050 中的第三象限损耗

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150 V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。 LMG3425R050 包含理想二极管模式，该模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150 V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。 LMG3425R050 包含理想二极管模式，该模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。
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设计和开发

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评估板

LMG342X-BB-EVM — LMG342x 评估模块

LMG342X-BB-EVM 是易于使用的分线板，可将 LMG3422EVM-043 等各种 LMG342xR0x0 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、辅助电源和逻辑电路，该评估模块 (EVM) 可用于快速测量氮化镓 (GaN) 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理（强制通风、低频运行等）的同时提供高达 12A 的输出电流，从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量，因为该板是开环板。

仅需要一个脉宽调制输入，即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点，从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。

用户指南: PDF | HTML
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子卡

LMG3422EVM-041 — LMG3422R050 600V 50mΩ 半桥子卡

LMG3422EVM-041 将两个 LMG3422R050 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。
用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.B): PDF | HTML
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仿真模型

LMG3422R050 PSpice Model

SNOM780.ZIP (241 KB) - PSpice Model
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仿真模型

LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model

SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
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CAD/CAE 符号

LMG3422R050 Step File

SNOR032.ZIP (411 KB)
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计算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
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计算工具

SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

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氮化镓 (GaN) 功率级
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TIDA-010062 — 1-kW, 80+ titanium, GaN CCM totem pole bridgeless PFC and half-bridge LLC with LFU reference design

This reference design is a digitally controlled, compact 1-kW AC/DC power supply design for server power supply unit (PSU) and telecom rectifier applications. This highly efficient design supports two main power stages, including a front-end continuous conduction mode (CCM) totem-pole bridgeless (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP41017 — 使用 GaN 和 C2000™ MCU 器件的 3kW 两相交错式半桥 LLC 参考设计

该参考设计是使用 LMG3422 和 F280039C 器件的 3kW、两相交错式半桥电感器-电感器-电容器 (LLC)。该设计可实现 98.1% 的峰值效率和 313W/in³ 功率密度，可用作通用冗余电源 (CRPS) 服务器电源的输出级，用于评估两个并联 LLC 级的控制方法，例如交错和电流平衡。
测试报告: PDF
参考设计

PMP41043 — 由 C2000 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1.6kW 参考设计

此参考设计在使用 C2000 F28004x 微控制器的半桥 LLC 级上演示了一种混合迟滞控制 (HHC) 方法，这是一种电流模式控制方法。该硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 钛金级、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计。通过另行添加感应卡实现了混合迟滞控制，从而在谐振电容器上重新生成电压。

与单环路电压模式控制方法 (VMC) 相比，该 HHC LLC 级具有更好的瞬态响应和易于控制的环路设计。

测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (RQZ) 54 Ultra Librarian
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