UCC27200
- Drives two N-channel MOSFETs in high-side and low-side configuration
- Negative voltage handling on HS (–5V)
- Maximum boot voltage of 120V
- Maximum VDD voltage of 20V
- On-chip 0.65V VF, 0.65Ω RD bootstrap diode
- 22ns propagation delay times
- 3A sink and 3A source output currents
- 8ns rise and 7ns fall time with 1000pF load
- 1ns delay matching
- Undervoltage lockout for high-side and low-side driver
- Specified from –40°C to 150°C
The UCC2720x family of high-frequency N-channel MOSFET drivers include a 120V bootstrap diode and high-side and low-side drivers with independent inputs for maximum control flexibility. This allows for N-channel MOSFET control in half-bridge, full-bridge, two-switch forward, and active clamp forward converters. The low-side and the high-side gate drivers are independently controlled and matched to 1ns between the turnon and turnoff of each other.
An on-chip bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers forcing the outputs low if the drive voltage is below the specified threshold.
Two versions of the UCC2720x are offered. The UCC27200 has high noise immune CMOS input thresholds while the UCC27201 has TTL compatible thresholds.
技术文档
类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | UCC2720x 120V, 3A/3A Half-Bridge Driver with 8V UVLO 数据表 (Rev. D) | PDF | HTML | 2024年 7月 18日 | ||
应用手册 | 了解并比较栅极驱动器的峰值电流能力 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2022年 5月 19日 | |
应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
更多文献资料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
选择指南 | 电源管理指南 2018 (Rev. K) | 2018年 7月 31日 | ||||
选择指南 | 电源管理指南 2018 (Rev. R) | 2018年 6月 25日 | ||||
更多文献资料 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 | 最新英语版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 |
设计和开发
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